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1、第一章 常用半導(dǎo)體器件第一節(jié) 半導(dǎo)體的基本知識(shí)一、填空題:1、根據(jù)導(dǎo)電能力來(lái)衡量,自然界的物質(zhì)可以分為 、 、和 三類(lèi)。2、常用的半導(dǎo)體材料是 和 ,它們都是 價(jià)元素。3、半導(dǎo)體中導(dǎo)電的不僅有 ,而且還有 ,這是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體導(dǎo)電的重要特征。4、摻雜半導(dǎo)體中多數(shù)載流子的濃度主要取決于 ,而少數(shù)載流子的濃度與 有很大的關(guān)系。5、半導(dǎo)體按導(dǎo)電類(lèi)型分為 型半導(dǎo)體和 型半導(dǎo)體。6、P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 ,少數(shù)載流子是 ;N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 ,少數(shù)載流子是 。7、PN結(jié)又叫 層, 層,也叫 區(qū)。8、PN結(jié)正偏時(shí),P區(qū)接電源的 極,N區(qū)接電源的 極;PN結(jié)反偏時(shí),P區(qū)接電源的 極,N區(qū)接電源的
2、 極。9、PN結(jié)具有 性能,即加正向電壓時(shí)PN結(jié) ,加反向電壓時(shí)的PN結(jié)間 。二、判斷題(正確的在括號(hào)內(nèi)打“”,錯(cuò)誤的打“×” )( )1、只有單晶硅或鍺才能制作半導(dǎo)體器件。( )2、在硅或鍺晶體中摻入五價(jià)元素形成P型半導(dǎo)體。( )3、在硅或鍺晶體中摻入三價(jià)元素形成N型半導(dǎo)體。( )4、PN結(jié)正向偏置時(shí)電阻小,反向偏置時(shí)電阻大。( )5、PN結(jié)正向偏置時(shí)導(dǎo)通,反向偏置時(shí)截止。( )6、PN結(jié)反向偏置時(shí),反向電流隨反向電壓增大而增大。三、選擇題(將正確答案的序號(hào)填入括號(hào)中)1、半導(dǎo)體中傳導(dǎo)電流的載流子是( )A、電子 B、空穴 C、電子和空穴2、P型半導(dǎo)體是( )A、純凈半導(dǎo)體 B、摻
3、雜半導(dǎo)體 C、帶正電的3、PN結(jié)形成以后,它的最大特點(diǎn)是具有( ) A、導(dǎo)電性 B、絕緣性 C、單向?qū)щ娦运?、?wèn)答題試述PN結(jié)的特性。第二節(jié) 二 極 管一、填空題1、二極管實(shí)質(zhì)就是一個(gè) ,P區(qū)的引出端叫 極或 極,N區(qū)的引出端叫 極或 極。2、按二極管制造工藝的不同,二極管可分為 型、 型和 型三種。3、按晶體二極管所用的材料可分為 管和 管兩類(lèi)。4、2CW是 材料的 二極管,2AK是 材料的 二極管。2CZ是 材料的 二極管,2AP是 材料的 二極管。5、二極管的正向接法是 接電源的正極, 接電源的負(fù)極,反向接法相反。6、二極管的主要特性是 ,硅二極管的死區(qū)電壓約 V,鍺二極管的死區(qū)電壓約
4、V。7、硅二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降約 V,鍺二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降約 V。8、使用二極管時(shí),應(yīng)考慮的主要參數(shù)是 , , 。9、電路中流過(guò)二極管的正向電流過(guò)大,二極管將會(huì) ;如果加在二極管兩端的反向電壓過(guò)高,二極管會(huì) 。10、有一鍺二極管正反向電阻均接近于零,表明該二極管已 ;有一硅二極管正反向電阻接近于無(wú)窮大,表明二極管已 。11、在相同大小的反向電壓作用下,硅二極管的反向飽和電流常 于鍺二極管的反飽和電流,所以硅二極管的熱穩(wěn)定性較 。二、判斷題(正確的在括號(hào)中打“”,錯(cuò)誤的打“×” )( )1、晶體二極管是線(xiàn)性元件。( )2、在整流電路中,一般采用點(diǎn)接觸型晶體二極管。( )3、一般來(lái)
5、說(shuō),硅晶體二極管的死區(qū)電壓小于鍺晶體二極管的死區(qū)電壓。( )4、無(wú)論是哪種類(lèi)型的晶體二極管,其正向電壓都為0.3V左右。( )5、晶體二極管具有單向?qū)щ娦?。?)6、晶體二極管的反向飽和電流越大,二極管的質(zhì)量越好。( )7、當(dāng)反向電壓小于反向擊穿電壓時(shí),二極管的反向電流很??;當(dāng)反向電壓大于反向擊穿電壓后,其反向電流迅速增加。( )8、晶體二極管加正向電壓時(shí)一定導(dǎo)通。( )9、晶體二極管加反向電壓時(shí)一定截止。( )10、在圖1-1中,晶體二極管V若為硅管則能導(dǎo)通,為鍺管則不通。三、選擇題(將正確答案的序號(hào)填入括號(hào)中)1、把電動(dòng)勢(shì)為1.5V的干電池的正極直接接到一個(gè)硅二極管的正極,干電池的負(fù)極直接
6、接到硅二極管的負(fù)極,則該管( )。 A、基本正常 B、擊穿 C、燒壞2、如果晶體二極管的正反向電阻都很大,則該晶體二極管( )。 A、正常 B、已被擊穿 C、內(nèi)部斷路3、當(dāng)硅晶體二極管加上0.4V正向電壓時(shí),該晶體二極管相當(dāng)于( )。 A、很小的電阻 B、很大的電阻 C、短路4、面接觸型晶體二極管比較適用于()。 A、高頻檢波 B、大功率整流 C、大電流開(kāi)關(guān)5、某晶體二極管反向擊穿電壓為150V,則其最高反向工作電壓( )。 A、約等于150V B、略大于150V C、等于75V四、問(wèn)答題1、什么是晶體二極管的反向擊穿?2、從晶體二極管的電壓、電流特性曲線(xiàn)看,硅管和鍺管有什么區(qū)別?3、怎樣用萬(wàn)
7、用表判斷硅二極管和鍺二極管?怎樣用萬(wàn)用表判斷小功率二極管的好壞與極性?4、在測(cè)量大功率晶體二極管的正向電阻時(shí),用萬(wàn)用表R×1檔和R×100檔測(cè)量結(jié)果是否相同?為什么?五、綜合題1、在圖1-2中,設(shè)晶體二極管的正向壓降為0.7V,當(dāng)UA分別為+5V、-5V、0V時(shí),求電壓UB。、如圖13所示電路,E13V ,E26V,V為理想二極管,求電路電壓Uab。3、在圖14中,R1R21K,R39K,V1、V2為理想二極管,當(dāng)UA+10V,UB0V時(shí),求輸出端電壓UO及各元件中通過(guò)的電流。4、輸入電壓u1如圖15a所示,V 為理想二極管,試在圖a中,畫(huà)出圖b、圖C中電路的輸出電壓u01
8、、u02。圖 1- 5 第三節(jié) 三極管 一、填空題1、晶體三極管有兩個(gè)PN結(jié),即 結(jié)和 結(jié);有三個(gè)電極,即 極、 極和 極,分別用 、 和 表示。2、晶體三極管有 型和 型,前者的圖形符號(hào)是 ,后者的圖形符號(hào)是 。3、晶體三極管3DG56是 材料 型 三極管,序號(hào)為 ,3AD30C是 材料 型 三極管。4、某晶體三極管的UCE不變,基極電流IB=30uA時(shí),IC=1.2mA,則發(fā)射極電流IE= mA,如果基極電流IB增大到50uA時(shí),IC增加到2mA,則發(fā)射極電流IE= mA,三極管的電流放大系數(shù)= 。5、晶體三極管的輸入特性是指 。6、硅三極管發(fā)射極的死區(qū)電壓約 V,鍺三極管發(fā)射結(jié)的死區(qū)電壓
9、約 V。晶體三極管處在正常放大狀態(tài)時(shí),硅管發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通電壓約 V,鍺管發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通電壓約 V。7、晶體三極管的輸出特性曲線(xiàn)是指 。8、晶體三極管的輸出特性可分為三個(gè)區(qū)域,即 區(qū)、 區(qū)、 區(qū)。9、當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié) ,集電結(jié) 時(shí),工作在放大區(qū);發(fā)射結(jié) ,集電結(jié) 時(shí),工作在飽和區(qū);發(fā)射結(jié) 或 ,集電結(jié) 時(shí),工作在截止區(qū)。10、晶體三極管具有正常放大作用時(shí),集電極、基極、發(fā)射極各極電位必須符合一定的大小關(guān)系,對(duì)于NPN管,應(yīng)符合 ,對(duì)于PNP管應(yīng)符合 。11、晶體三極管發(fā)射極電流IE,基極電流IB和集電極電流IC之間的關(guān)系是 ,其中ICIB叫做 ,用 表示;IC/IB叫做 系數(shù),用 表示。12、晶
10、體三極管臨界飽和時(shí),有UBE UCE。13、晶體三極管的穿透電流ICEO隨溫度的升高而 ,硅三極管的穿透電流比鍺三極管 ,所以硅三極管的熱穩(wěn)定性比鍺三極管 。14、晶體三極管的三個(gè)主要極限參數(shù)是 、 、 ,三極管正常工作時(shí),應(yīng)滿(mǎn)足 、 和 。15、晶體三極管電流放大系數(shù)太小時(shí),電流放大作用 ,電流放大系數(shù)太大時(shí),會(huì)使晶體三極管的性能 。16、工作在放大狀態(tài)的三極管可作為 器件;工作在截止和飽和狀態(tài)的三極管可作為 器件。二、判斷題(正確的在括號(hào)中打“”,錯(cuò)誤的打“×” )( )1、晶體三極管有兩個(gè)PN結(jié),因此它具有單向?qū)щ娦?。?)2、發(fā)射結(jié)正向偏置的晶體三極管一定工作在放大狀態(tài)。(
11、)3、發(fā)射結(jié)反向偏置的晶體三極管一定工作在截止?fàn)顟B(tài)。( )4、一般來(lái)說(shuō),晶體三極管的電流放大系數(shù)隨溫度升高而減小。( )5、常溫下,硅晶體三極管的UBE約為0.7V,且隨溫度升高而減小。( )6、晶體三極管的交流放大系數(shù)表示為IC/IB,它不隨工作點(diǎn)改變而改變。( )7、晶體三極管集電極和發(fā)射極可以互換使用。( )8、晶體三極管穿透電流的大小不隨溫度變化。( )9、晶體三極管不允許工作在過(guò)損耗區(qū)。( )10、測(cè)得正常放大電路中晶體管的三個(gè)管腳電位分別是9V,6V和6.2V,則這個(gè)晶體三極管是PNP鍺管。三、選擇題(將正確答案的序號(hào)填入括號(hào)中)( )1、當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏時(shí),該
12、管工作在 A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài)( )2、用直流電壓表測(cè)量NPN型晶體三極管中管子各極電位是UB4.7V,UC4.3V,UE4V,則該晶體三極管的工作狀態(tài)是 A、截止?fàn)顟B(tài) B、飽和狀態(tài) C、放大狀態(tài)( )3、晶體三極管各電極對(duì)地電位如圖16所示,工作于飽和狀態(tài)的三極管是 ( )4、滿(mǎn)足ICIB關(guān)系時(shí),晶體三極管工作在 A、飽和區(qū) B、放大區(qū) C、截止區(qū)( )5、晶體三極管處于飽和狀態(tài)時(shí),它的集電極電流將A、隨基極電流的增加而增加B、隨基極電流的增加而減小C、與基極電流變化無(wú)關(guān),只取決于UCC和RC( )6、三極管輸出特性曲線(xiàn)中,當(dāng)IB0時(shí),IC等于 A、ICM B、ICBO
13、C、ICEO( )7、有三只晶體三極管,除和ICEO不同外,其他參數(shù)一樣,用作放大器件時(shí),應(yīng)選用 A、50,ICEO0.5mA B、140,ICEO2.5mA C、10,ICEO0.5mA( )8、用萬(wàn)用表RX1K擋測(cè)量一只正常的三極管,若用紅表棒接觸一只管腳,黑表棒分別接觸另外兩只管腳時(shí)測(cè)得的電阻均很大,則該三極管是 A、PNP型 B、NPN型 C、無(wú)法確定( )9、三極管放大作用的實(shí)質(zhì)是A、 三極管可以把小電流放大成大電流B、 三極管可以把小電流放大成大電壓C、 三極管可以用較小的電流控制較大的電流四、問(wèn)答題1、什么是晶體三極管電流放大系數(shù)?和hFE有什么區(qū)別?2、什么是晶體三極管的穿透電
14、流?它和晶體三極管的性能有何關(guān)系?3、晶體三極管的主要功能是什么?放大作用的實(shí)質(zhì)是什么?晶體三極管為什么具有電流放大作用?4、如何用萬(wàn)用表判別晶體三極管的管腳和管型?又如何判斷是硅管和鍺管?五、綜合題1、用萬(wàn)用表測(cè)得處在放大狀態(tài)的晶體三極管三個(gè)電極的對(duì)地電位是UA=9.5V,UB=-5.9V,UC=-6.2V,試根據(jù)此判斷晶體三極管的管腳、材料與類(lèi)型。2、測(cè)得某放大器中三極管各腳間電壓如圖17所示,問(wèn)、腳各是什么電極?是鍺管還是硅管?是PNP型還是NPN型? 3、測(cè)得工作在放大狀態(tài)的某三極管,其電流如圖18所示,在圖中標(biāo)出各管的管腳,并說(shuō)明三極管是NPN型還是PNP型? 4、根據(jù)圖19所示的各
15、晶體三極管對(duì)地電位數(shù)據(jù)分析各管的情況。(說(shuō)明是放大、截止、飽和或哪個(gè)結(jié)已開(kāi)路或短路。 5、已知某三極管PCM100mW,ICM20mA,U(BR)CEO15V,試問(wèn)下列幾種情況下,哪種情況能正常工作?哪種情況不能正常工作?為什么? (1)UCE3V IC10mA (2)UCE2V IC40mA (3)UCE10V IC20mA (4)UCE15V IC10mA6、某三極管的輸出特性曲線(xiàn)如圖110所示,根據(jù) 輸出特性曲線(xiàn)求穿透電流ICEO,當(dāng)IC2mA,UCE10V時(shí)電流放大系數(shù)是多少? 7、某NPN型晶體三極管的輸入、輸出特性曲線(xiàn)如圖111所示: (1)當(dāng)IB60uA、UCE8V時(shí),求IC;
16、(2)當(dāng)UCE6V時(shí)、UBE0.7V時(shí),求IC; (3)當(dāng)UCE10V,UBE由0.6V變化到0.7V時(shí),求IC的變化量,此時(shí)的電流放大系數(shù)是多少? 8、已知晶體三極管的發(fā)射極電流IE3.24mA,基極電流IB40uA,求集電極電流IC的數(shù)值。9、某晶體鍺三極管50,IB10uA,試求IC的值。第四節(jié) 場(chǎng) 效 應(yīng) 管一、 填空題1、場(chǎng)效應(yīng)管是一種 控制器件,它的漏極電流受 控制,它的輸入電阻 ,柵極電流 。2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的圖形符號(hào)是 。3、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線(xiàn)可分為 、 和 三部分,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管用作放大時(shí)工作在 。4、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)稱(chēng) 管,它有 溝道和 溝道兩類(lèi),其中每一類(lèi)又可分為
17、 型和 型兩種。5、N溝道耗盡型MOS管的圖形符號(hào)是 。N溝道增強(qiáng)型MOS管的圖形符號(hào)是 。6、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在偏置電壓UGS小于 時(shí)才能導(dǎo)通。7、N溝道增強(qiáng)型MOS管在偏置電壓UGS大于 時(shí)才能導(dǎo)通。二、判斷題(正確的在括號(hào)中打“”,錯(cuò)誤的打“×” )( )1、根據(jù)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的圖形符號(hào)可以識(shí)別是N溝道還是P溝道。( )2、場(chǎng)效應(yīng)管和晶體三極管一樣,是電流控制器件。( )3、場(chǎng)效應(yīng)管參與導(dǎo)電的只是多數(shù)載流子,故稱(chēng)為單極型三極管。( )4、場(chǎng)效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性、低噪聲等方面優(yōu)于普通三極管。( )5、場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極可以互換使用。( )6、增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在UGS0時(shí)不存在
18、導(dǎo)電溝道。( )7、夾斷電壓UP和開(kāi)啟電壓UT的正負(fù)極性取決于導(dǎo)電溝道類(lèi)型。三、選擇題(將正確答案的序號(hào)填入括號(hào)中)1、屬于N溝道增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的是圖112中的( )。 2、MOS管的突出優(yōu)點(diǎn)是( )。A、電流放大作用大 B、電壓放大作用大 C、輸入電阻高3、在圖113所示偏置電路中,能正常工作的是( )。四、問(wèn)答題1、什么是場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性?2、什么是場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性?3、什么是場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)啟電壓UT和夾斷電壓UP?4、簡(jiǎn)述結(jié)型和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。五、綜合題已知場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性如圖114所示。(1) 該管是什么類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管。(2) 試求管子的下列參數(shù)開(kāi)啟電壓UT;UGS4V時(shí)的最大漏源電壓U(BR)DS;UDS10V、ID3mA時(shí)的跨導(dǎo)gm。第五節(jié) 其他半導(dǎo)體器件一、填空題1、開(kāi)關(guān)二極管的開(kāi)關(guān)時(shí)間非常 ,它的開(kāi)關(guān)速度非常高。2、變?nèi)荻O管加上反向電壓時(shí),PN結(jié) 電容會(huì)隨著電壓的變化而變化,變?nèi)荻O管的圖形符號(hào)是 。3、發(fā)光二極管通常用透明的塑料封裝,管腳長(zhǎng)的為 極,管腳短的為 極,發(fā)光二極管的圖形符號(hào)是 。4、 和 通稱(chēng)為光電晶體管。5、光電二極管工作時(shí)加 電壓,在 下產(chǎn)生電流,光電流隨光照強(qiáng)度增強(qiáng)而 。6、光電二極管也有 型和 型,基極裝在玻璃鏡里,以接收 。二、判斷題(正確的在括號(hào)中打“”,錯(cuò)誤的打“×” )( )1、光電
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