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文檔簡介
1、歡迎訪問Freekaoyan論文站有助于無線探頭測量感應(yīng)式電源的低功耗電壓歡迎訪問Freekaoyan論文站 歡迎訪問Freekaoyan論文站 為執(zhí)行長期監(jiān)視任務(wù)的便攜式遙測系統(tǒng)供電,向人們提出了有趣的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。電池不適合于某些關(guān)鍵性應(yīng)用,且在這些環(huán)境中,設(shè)計(jì)人員一般用無線感應(yīng)鏈路來傳輸功率與數(shù)據(jù)。感應(yīng)鏈路由一個(gè)驅(qū)動固定初級線圈的射頻發(fā)射器與一個(gè)為便攜式裝置提供電源的松耦合次級線圈組成。對設(shè)計(jì)工程師來說,測量發(fā)射功率相當(dāng)重要,因?yàn)樗鼤拗圃O(shè)計(jì)人員可包含至便攜式裝置中的電路數(shù)量。但不幸的是,傳統(tǒng)測試設(shè)備
2、不適合執(zhí)行該任務(wù),因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)電壓探頭會拾取初級線圈上感應(yīng)的噪聲,且在某些應(yīng)用中,便攜式裝置密封在一個(gè)不能接入電纜或探頭的小盒子中。 圖1所示電路可減少噪聲效應(yīng),因其VFC(電壓頻率轉(zhuǎn)換器)可產(chǎn)生對噪聲進(jìn)行積分或取平均的PPM(脈沖位置調(diào)制)輸出信號VOUT。此外,該設(shè)計(jì)還利用“負(fù)載調(diào)制”來消除有線連接。當(dāng)PPM信號驅(qū)動MOSFET開關(guān)Q1時(shí),開關(guān)會連接一個(gè)由D2及次級線圈LS兩端的串聯(lián)電阻器RSF及RSV組成的附加負(fù)載網(wǎng)絡(luò)。負(fù)載調(diào)制接收器連接至初級線圈并恢復(fù)PPM信號。當(dāng)您用表面貼裝元件來構(gòu)建時(shí),VF
3、C電路僅占用238 mm2的電路板面積。 為了解該電路的工作原理,我們假設(shè)一個(gè)125kHz的正弦磁場在次級線圈LS中感應(yīng)出大約4V 16V的電壓。為提高功率轉(zhuǎn)換效率,LS與CS構(gòu)成一個(gè)負(fù)載系數(shù)QL大約為8的125kHz調(diào)諧回路。肖特基二極管D1對LS中感應(yīng)的電壓進(jìn)行整流,而C1則提供低通濾波。所得直流電壓VX為低壓差穩(wěn)壓器IC1供電,而IC1又給VFC IC2和負(fù)載電阻器RLF與RLV提供恒定的3V。微調(diào)電位器RLV將輸出電流設(shè)定為2.5mA 13.5 mA。
4、60; 低壓差穩(wěn)壓器與VFC的總耗電流為數(shù)十微安,與輸出電流相比可忽略不計(jì)。因此,IIN近似等于IL。下面公式1表示感應(yīng)式電源所產(chǎn)生的直流輸出功率:(公式1) 式1顯示的輸出電流為常數(shù),故直流輸出功率PX與直流輸出電壓VX成正比。在通過RLV設(shè)置已知的初始輸出電流的調(diào)整后,您即可通過測量由VFC數(shù)字化的傳輸直流電壓來測試感應(yīng)式電源的輸出能力。為減少功耗、元件數(shù)與印制電路板面積,可用一個(gè)由RC、RD及C5組成的簡單無源積分網(wǎng)絡(luò)來取代構(gòu)成典型VFC輸入級的傳統(tǒng)
5、運(yùn)放積分器。 VFC產(chǎn)生一個(gè)上升沿斜率與積分電容器C5兩端的電壓VX成正比的恒定幅度鋸齒波電壓。當(dāng)電容器兩端電壓達(dá)到一個(gè)高參考電壓時(shí),開關(guān)Q2迅速將電容器放電至一個(gè)低參考電壓。此動作產(chǎn)生一個(gè)頻率與輸入電壓VX成正比的自由振蕩波形。一個(gè)由比較器IC2、正向反饋網(wǎng)絡(luò)R1、R2與C3、以及電源電壓分配器R3、R4、C4組成的同相施密特觸發(fā)器,定義了高、低電平參考電壓,如公式2及公式3所示:(公式2)(公式3) 公式
6、3表明,為將積分電壓復(fù)位至大約0V,R1值必須稍低于R2值。利用E12串聯(lián)電阻器的標(biāo)準(zhǔn)值并考慮功耗限制,選擇R1值為8.2 M及R2值為10 M。并分別用這些值來代替公式2及公式3中的值:(公式4) 為了解VFC的工作原理,假設(shè)在啟動時(shí)電容器C5充分放電。因此,比較器IC2的輸出VOUT為低、且MOSFET開關(guān)Q1與Q2關(guān)閉。在這種情況下,通過RC及RD的電流開始以時(shí)間常數(shù)tC=(RC+RD)×C5對C5充電至VX。當(dāng)電容器C5的電壓在時(shí)間tX達(dá)到施密特觸發(fā)器的上限閾值電壓時(shí),比較器輸出VO
7、UT上升至VDD并接通MOSFET開關(guān)Q1與Q2。開關(guān)Q2以時(shí)間常數(shù)tDRD×C5通過RD為C5放電。同時(shí),Q1產(chǎn)生一個(gè)負(fù)載調(diào)制脈沖。 當(dāng)VC=VTL時(shí),比較器輸出降至0,恢復(fù)初始狀態(tài)并重復(fù)該過程。如圖2中的跡線1所示,電路行為就像一個(gè)自由振蕩器,其中C5兩端的電壓在施密特觸發(fā)器的閾值電壓之間上升和下降。假設(shè)放電時(shí)間常數(shù)tD遠(yuǎn)小于充電時(shí)間常數(shù)tC,則放電時(shí)間tON明顯小于積分時(shí)間tX。如圖2中的跡線2所示,比較器輸出提供一個(gè)具有大約320ms短脈沖的PPM信號。
8、60; 公式5及公式6分別為計(jì)算波形tX與tON脈寬的完整表達(dá)式:(公式5)(公式6) 這些公式雖對于設(shè)計(jì)圖1中的VFC很有用,但對電路的整體傳輸函數(shù)來說不夠直觀。您可以運(yùn)用以下近似來簡化計(jì)算:由于tX>>tON,因此PPM輸出頻率近似為fX1/tX。正常工作時(shí),與施密特觸發(fā)器的閾值電壓相比,VX達(dá)到一個(gè)相對較高值,且您可以將電容器C5的充電規(guī)率線性化為一條斜率恒定的斜線(公式7):(公式7) 根據(jù)公式4,施密特觸發(fā)器的高、低閾值電壓分別為VTHVDD及VTL0V。利用這些近似值,PPM輸出頻率可簡化為:(公式8)
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