維修電工培訓(xùn)第二章(電子技術(shù)與元器件的基礎(chǔ)知識(shí))課件

1、電子技術(shù)與元器件的基礎(chǔ)知識(shí)第二章電子技術(shù)與元器件的基礎(chǔ)知識(shí)2.1 電子元器件2.2 元器件的修理常識(shí) 2.1 電子元器件2.1.1 晶體二極管 1. 二極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)、分類和型號(hào) （1）二極管的結(jié)構(gòu)、電路符號(hào) 二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2-1（a）所示。采用摻雜工藝，使鍺或硅晶體的一邊形成P型半導(dǎo)體區(qū)域，另一邊形成N型半導(dǎo)體區(qū)域，在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體的交界面會(huì)形成一個(gè)具有特殊電性能的薄層，即PN結(jié)。從P區(qū)引出的電極為正極（或陽(yáng)極），從N區(qū)引出的電極為負(fù)極（或陰極）。二極管一般用金屬、塑料或玻璃材料作為封裝外殼，外殼上印有標(biāo)記便于區(qū)分正負(fù)電極。二極管的電路符號(hào)如圖2-1（b）所示，箭頭所指的方向

2、為正向電流流通的方向，習(xí)慣用字母V（或D）代表二極管。 2.1 電子元器件圖2-1 （a）二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu) （b）二極管的電路符號(hào) 2.1 電子元器件 穩(wěn)壓電源、收音機(jī)、電視機(jī)等電子產(chǎn)品中各種不同外形的二極管如圖2-2所示。 圖2-2 常見二極管外形圖 2.1 電子元器件 表2-1國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名方法第一部分第二部分第三部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的材料和極性用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的類別符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義2二極管ABCDN型鍺材料P型鍺材料N型硅材料P型硅材料PVWCZ普通管微波管穩(wěn)壓管參量管整流管LSNUK整流堆隧道管阻尼管光電器件開關(guān)管3三極管A

3、BCDEPNP型鍺材料NPN型鍺材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料XGDAUK低頻小功率管（fT3MHz,PC1W）高頻小功率管（fT3MHz,PC1W）低頻大功率（fT3MHz,PC1W）高頻大功率（fT3MHz,PC1W）光電器件開關(guān)管開關(guān)管 2.1 電子元器件 由于目前歐洲各國(guó)沒有明確統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法，故他們大都使用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)的標(biāo)準(zhǔn)。例如：3AD50C表示低頻大功率PNP型鍺管；3DG6E表示高頻小功率NPN型硅管。 根據(jù)美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）規(guī)定的半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法如表2-2所示。例如：1N4148表示開關(guān)二極管，2N3464表示高頻大功率NPN型硅管

4、。 2.1 電子元器件日本半導(dǎo)體器件型號(hào)共用五部分組成，其表示方法如表2-3。表2-3 日本半導(dǎo)體器件命名法 第一部分 第二部分 第三部分 用數(shù)字表示器 件的電極數(shù)目用字母表示半導(dǎo)體器件 用拉丁字母表示器件的結(jié)構(gòu)和類型符號(hào)意義符號(hào)意義 符號(hào)意義 0光電器件S半導(dǎo)體器件A高頻PNP型三極管快速開關(guān)三極管三極管B低頻大功率PNP管3有三個(gè)PN結(jié)的器件C高頻及快速開關(guān)NPN三極管D低頻大功率NPN管FP控制極可控硅GN控制極可控硅HN基極單結(jié)管JP溝道場(chǎng)效應(yīng)管KN溝道場(chǎng)效應(yīng)管M雙向可控硅 2.1 電子元器件 2. 二極管的重要特性單向?qū)щ娦?(1)加正向電壓導(dǎo)通 如果將電源正極與二極管正極相連，電源

5、負(fù)極與二極管負(fù)極相連，稱為正向偏置，簡(jiǎn)稱正偏。此時(shí)二極管內(nèi)部呈現(xiàn)較小的電阻，有較大電流通過，二極管狀態(tài)為正向?qū)顟B(tài)。 (2)加反向電壓截止 如果將電源正極與二極管負(fù)極相連，電源負(fù)極與二極管正極相連，稱為反向偏置，簡(jiǎn)稱反偏。此時(shí)二極管內(nèi)部呈現(xiàn)較大的電阻，幾乎無電流通過，二極管狀態(tài)為反向截止?fàn)顟B(tài)。由上可知，二極管加正偏壓時(shí)導(dǎo)通，加反偏壓時(shí)截止，即單向?qū)щ娦允嵌O管最重要的特性。 2.1 電子元器件 3. 二極管的伏安特性 加在二極管兩端的電壓VD和流過二極管的電流ID之間的關(guān)系稱為二極管的伏安特性，利用晶體管特性圖示儀能方便地測(cè)出VD與ID關(guān)系曲線，即伏安特性曲線，見圖2-3。 圖2-3 二極管

6、的伏安特性曲線 2.1 電子元器件 （2）反向特性 反向伏安特性曲線指VVIV坐標(biāo)系的第三象限部分，它的主要特點(diǎn)是： 當(dāng)二極管承受反向電壓VR時(shí)，加強(qiáng)了PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)，使二極管呈現(xiàn)很大電阻，此時(shí)僅有極小的反向電流IR。曲線OC（或OC）段稱為反向截止區(qū)，此處的IR稱為反向飽和電流或反向漏電流。實(shí)際應(yīng)用中IR越小越好。一般硅二極管的IR在幾十微安以下，鍺二極管的IR達(dá)幾百微安，大功率二極管則更大些。 反向擊穿區(qū) 當(dāng)反向電壓增大到超過某個(gè)值（圖中C或C點(diǎn)），反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象叫反向擊穿。CD（或CD）段稱為反向擊穿區(qū)，C（或 C）點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓叫反向擊穿電壓VBR。擊穿后電流過大將使管子損壞，

7、所以除穩(wěn)壓管外，加在二極管上的反向電壓不允許超過擊穿電壓。 2.1 電子元器件 4. 二極管的主要技術(shù)參數(shù)及選擇 （1）主要參數(shù) 不同類型的二極管有不同參數(shù)供選用者參考，在實(shí)際應(yīng)用中最主要的參數(shù)如下： 最大整流電流IFM 又稱為額定工作電流，是二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過的最大正向平均電流。如果實(shí)際工作時(shí)的正向平均電流值超過IFM，二極管內(nèi)的PN結(jié)會(huì)過分發(fā)熱而損壞。不同型號(hào)的二極管IFM參數(shù)懸殊很大。一些大電流的二極管要求使用散熱片，且它的IFM是指帶有規(guī)定散熱片條件下的參數(shù)值，選用時(shí)要注意實(shí)際工作電流要比IFM小得較多才安全。 2.1 電子元器件 （2）器件手冊(cè)的使用 二極管類型非常多，并且有很

8、多的參數(shù)都可從不同側(cè)面反映管子的性能。從晶體管手冊(cè)中可以查出常用國(guó)產(chǎn)、進(jìn)口二極管的技術(shù)參數(shù)和使用資料，這些是正確使用二極管的依據(jù)。通常晶體管手冊(cè)包含以下基本內(nèi)容：器件型號(hào)、主要參數(shù)、主要用途和器件外形等。表2-5列舉了幾種典型二極管的技術(shù)參數(shù)。 2.1 電子元器件 表2-5 典型二極管的技術(shù)參數(shù)型號(hào)最大整流電流IFM/mA最高反向工作電壓VRM/V反向飽和電流IR/ mA最高工作頻率fM/MHZ主要用途2AP32CK842CP312CZ55C 25 100 250 1000 30 30 25 100 0.25 1 300 0.01 150 003 檢波管 開關(guān)管 整流管 整流管 2.1 電子元

9、器件2.1.2 晶體三極管 三極管的結(jié)構(gòu)、分類及符號(hào) （1）三極管的外形 半導(dǎo)體三極管亦稱雙極型晶體三極管，簡(jiǎn)稱晶體管。功率不同的三極管體積和封裝形式也不一樣，近年來生產(chǎn)的小、中功率管多采用硅酮塑料封裝；大功率管多采用金屬封裝，且其外殼和散熱器連成一體便于散熱。常見的三極管外形如圖2-4所示。 圖2-4 常見的三極管外形 2.1 電子元器件（2）三極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào) （a）NPN型 （b）PNP 型 圖25 三極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 2.1 電子元器件 晶體三極管的核心是兩個(gè)靠得很近的PN結(jié)，如圖2-5所示。內(nèi)部有三個(gè)半導(dǎo)體區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)，對(duì)應(yīng)的三個(gè)電極分別為發(fā)射極e、基極b、集電極c；由三

10、個(gè)區(qū)域半導(dǎo)體類型的不同，三極管分為PNP型和NPN型；發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)IC, 基區(qū)和集電區(qū)之間的PN稱為集電結(jié)IC。注意：由三極管制造工藝的特殊性知，三極管并不是兩個(gè)PN結(jié)的簡(jiǎn)單組合，使用時(shí)不能用兩個(gè)二極管代替，也不能將發(fā)射極和集電極對(duì)調(diào)使用。 2.1 電子元器件 （3）三極管的分類和命名 三極管的種類很多，一般有以下幾種分類：按照結(jié)構(gòu)工藝分為NPN 型和PNP型（目前國(guó)產(chǎn)的硅三極管多為NPN 型，鍺三極管多為PNP型）；按所用半導(dǎo)體的材料分為硅三極管和鍺三極管（由于硅管溫度穩(wěn)定性好，所以在自控設(shè)備中常用硅管）；按允許耗散的功率大小分為大功率管（耗散功率大于幾十瓦）和小功率管

11、（耗散功率小于1瓦）；按工作頻率不同分為高頻管（f3MHZ且高頻管的工作頻率可以達(dá)到幾百兆赫）和低頻管（f3MHZ）；按用途分為普通三極管和開關(guān)三極管等。三極管型號(hào)的具體識(shí)別方法見表2-1。 2.1 電子元器件 （1）共發(fā)射極電流放大系數(shù) 共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)（或hFE），共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)（或hfe），同一個(gè)三極管在相同條件下hfe略大于hFE，但應(yīng)用時(shí)二者可相互代替。 （2）極間反向飽和電流 集電極基極間反向飽和電流ICBO，集電極發(fā)射極間反向飽和電流ICEO（又稱穿透電流）。ICEO=（1+）ICBO。 （3）極限參數(shù) 集電極最大允許電流ICN（當(dāng)IC超過ICM將下降到不能工作

12、的地步）；集電極最大允許耗散功率PCM（PC=ICVCE超過此值三極管會(huì)過熱而燒壞）；集電極發(fā)射極間反向擊穿電壓V（BR）CEO，當(dāng)基極開路時(shí)，集射極間電壓超過此值后會(huì)由電擊穿導(dǎo)致熱擊穿而損壞管子。 2.1 電子元器件 3. 三極管內(nèi)電流分配和電流放大作用 三極管各極電流分配關(guān)系為：IE=IB+IC其中，由于IB遠(yuǎn)小于IC，所以IEIC； 三極管具有電流放大作用：共發(fā)射極電流放大系數(shù)，=IC/IB，=IC/IB； 4. 三極管的工作特性 在模擬電路中，三極管應(yīng)用較多的是共發(fā)射極電路，輸入電壓VBE與輸入電流IB間的數(shù)量關(guān)系稱為三極管的輸入特性；輸出電壓VCE與輸出電流IC間的數(shù)量關(guān)系稱為三極管

13、的輸出特性；三極管的輸入輸出特性，統(tǒng)稱為三極管的工作特性。三極管的輸入、輸出特性曲線如圖26（a）、（b）。 2.1 電子元器件 通常把三極管輸出特性曲線分成三個(gè)工作區(qū)來分析其工作狀態(tài)，即放大區(qū)、截止區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是圖2-6（b）中iB=0曲線下方的區(qū)域，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。在iB=0時(shí)，iC并非為零，這時(shí)電流就是穿透電流ICEO；飽和區(qū)在uCE較小的區(qū)域，此區(qū)域三極管iC不隨iB增大而變化，即處于飽和狀態(tài)，飽和時(shí)的uCE值稱為飽和壓降VCES（小功率硅管約0.3伏，鍺管欲0.1伏）；放大區(qū)在截止區(qū)和飽和區(qū)之間，此區(qū)域內(nèi)三極管iC受iB的控制，即iC=iB，具有電流放大作用，三極管處于放大

14、狀態(tài)。且iB一定時(shí)，IC不隨VCE變化而保持恒定，這種現(xiàn)象稱三極管的恒流特性。 由上述特性總結(jié)，三極管工作的外部條件為：當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)處于放大狀態(tài)；發(fā)射結(jié)反偏（或零偏）時(shí)，處于截止?fàn)顟B(tài)；發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏時(shí)，處于飽和狀態(tài)。注：工作的內(nèi)部條件由三極管制造工藝決定。 2.1 電子元器件2.1.3 晶閘管 晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又叫做可控硅。是一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層叁端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱晶閘管T。又由于晶閘管最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅(SCR)。結(jié)構(gòu)

15、上分為單向晶閘管、雙向晶閘管、快速晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管和光控晶閘管等，是一種大功率的半導(dǎo)體器件；外形上分為螺栓形、平板形和平底形。下面介紹單向晶閘管。圖2-7（a）、（b）、（c）是常見單向晶閘管外形圖。 2.1 電子元器件（a）小功率 （b）中功率 （c）大功率管圖2-7 單向晶閘管外形圖 2.1 電子元器件 單向晶閘管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖2-8（a）、（b）所示。內(nèi)部結(jié)構(gòu)有四層半導(dǎo)體區(qū)、三個(gè)PN結(jié)，外部有三個(gè)引腳即陽(yáng)極A、陰極K和控制極（又稱門極）G。晶閘管導(dǎo)通必須具備兩個(gè)條件：即在陽(yáng)極、陰極間加正偏壓，同時(shí)在控制極和陰極間加正向觸發(fā)電壓。管子一旦導(dǎo)通后門極即失去控制作用，無論門極

16、有無電壓，管子仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)。關(guān)斷晶閘管有兩種方法：一是將陽(yáng)極電壓降低到足夠小或瞬間反向電壓；二是將陽(yáng)極瞬間開路。（a）內(nèi)部結(jié)構(gòu) （b）符號(hào) 圖2-8 單向晶閘管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 2.1 電子元器件 單向晶閘管的工作原理及基本特性： 晶閘管是P1N1P2N2四層叁端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如圖2-9所示。圖2-9 可控硅等效圖解 2.1 電子元器件 當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=2ib2。因?yàn)锽G2

17、的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=1ib1=12ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，形成正反饋，使ib2不斷增大，如此正反饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，使可控硅飽和導(dǎo)通。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔茫砸坏┛煽毓鑼?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化。 2.1 電子元器件 晶閘管的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：具有容量大、效率高、成本低

18、、重量輕、體積小、控制靈敏等優(yōu)點(diǎn)；以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍，可實(shí)現(xiàn)小信號(hào)功率對(duì)大信號(hào)功率的變換和控制；在脈沖數(shù)字電路中可作為功率開關(guān)管使用；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音等。缺點(diǎn)：抗干擾能力和過載能力較差，工作電路較復(fù)雜，靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差，容易受干擾而誤導(dǎo)通。2.2 元器件的修理常識(shí)2.2.1 元器件的檢測(cè)和故障分析 元器件的檢測(cè)是維修電工的一項(xiàng)基本功，如何準(zhǔn)確有效地檢測(cè)元器件的相關(guān)參數(shù)，判斷元器件是否正常，沒有千篇一律的方法，必須根據(jù)不同的元器件采用不同的方法，從而判斷元器件是否正常。特別對(duì)初學(xué)者來說，熟練掌握常用元器件的檢測(cè)方法是很必

19、要的，以下介紹常用電子元器件的檢測(cè)方法供讀者參考。2.2 元器件的修理常識(shí)2.2.1.1 二極管的檢測(cè)和故障分析 從外形上判斷二極管管腳如圖2-10所示。 陰極 陽(yáng)極 圖2-10普通整流管（1N4007型）管腳圖2.2 元器件的修理常識(shí) 可以用晶體管特性圖示儀對(duì)二極管作較準(zhǔn)確的測(cè)量。為操作方便，基于二極管的單向?qū)щ娦栽?，?shí)踐中常用萬(wàn)用表來檢測(cè)判別其管腳和性能。操作如下： 先將萬(wàn)用表調(diào)至歐姆擋的R1K或R100（此時(shí)黑表筆接內(nèi)部電池的正極，紅表筆接內(nèi)部電池的負(fù)極）；然后將萬(wàn)用表的紅、黑表筆分別接到二極管兩端，若測(cè)得電阻較?。◣浊W以下），再將紅、黑表筆對(duì)調(diào)后接于二極管兩端時(shí)，測(cè)得的電阻較大（幾

20、百千歐），則可判斷該管質(zhì)量較好，且測(cè)得電阻較小的那次黑表筆接的是二極管的陽(yáng)極。 故障分析：若上述檢測(cè)中二極管的正、反向電阻都很小，甚至為零，表明管子內(nèi)部短路；若測(cè)得二極管的正、反向電阻都很大，表明內(nèi)部已斷路。 2.2 元器件的修理常識(shí)實(shí)用時(shí)根據(jù)情況也可用其他方法，舉例如下： （1）檢測(cè)1N400型二極管 平時(shí)裝配和檢修各類電子電器的整流電源時(shí)，1N400型二極管的應(yīng)用是相當(dāng)多的。檢測(cè)二極管性能采用電筒電路，能迅速地判斷其好壞。讓電池的正極先、后接二極管兩腳，如果電珠一次發(fā)出微弱光，另一次不發(fā)光，則電珠發(fā)光那次電池正極處接的是二極管陽(yáng)極，不發(fā)光的那次是二極管的陰極，同時(shí)也說明該二極管性能良好；如

21、果電池正極碰觸二極管任一腳小電珠都能發(fā)光，說明此二極管內(nèi)部已短路；若電珠都不亮，則二極管內(nèi)部已斷路。注意：此法不能確定二極管的耐壓。2.2 元器件的修理常識(shí) （2）檢測(cè)發(fā)光二極管 發(fā)光二極管因其工作電壓低，所以用電筒電路能直觀地判斷其性能和質(zhì)量好壞。如果將待測(cè)發(fā)光二極管跨接入電路后發(fā)光二極管不點(diǎn)亮，而將其調(diào)換極性后再次接入電路時(shí)，發(fā)光管微微發(fā)光，那么證明該管性能良好，同時(shí)可以判斷發(fā)光管與電池負(fù)極相接的管腳即為發(fā)光管的負(fù)極，另一腳為正極。但如果通過上述兩次接入電路二極管均不發(fā)光點(diǎn)燃，則說明該管已壞。但反過來說，如發(fā)光管兩次接入電路，雖然發(fā)光管均不亮，但電路中的小電珠卻已閃亮發(fā)光，則說明該發(fā)光管內(nèi)

22、部已擊穿導(dǎo)通。2.2 元器件的修理常識(shí) （3）檢測(cè)光電二極管 光電二極管是一種能把光照強(qiáng)弱的變化轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。其頂端有一個(gè)能射入光線的窗口，光線通過窗口照射到管芯上，在光的激發(fā)下，光電二極管產(chǎn)生大量“光生載流子”，光電二極管的反向電流大大增加使內(nèi)阻減小。常用的光電二極管為2CU、2DU型。其正向電阻不隨光照強(qiáng)弱而變化（約為幾千歐）；反向電阻在無光時(shí)約200K，受光照射時(shí)光線越強(qiáng)反向電阻越小，小到幾百歐，去除光照反向電阻立即恢復(fù)到無光時(shí)的阻值。根據(jù)上述原理用萬(wàn)用表檢測(cè)即可。2.2 元器件的修理常識(shí)2.2.1.2 三極管檢測(cè)和故障分析 普通三極管的管腳排列如圖2-11所示。 圖211普

23、通三極管的管腳圖 可以用晶體管特性圖示儀對(duì)三極管作較準(zhǔn)確的測(cè)量。為操作方便，基于三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)（“三區(qū)兩結(jié)”），常用萬(wàn)用表來檢測(cè)判別其管腳及性能。操作如下：對(duì)于功率在1W以下的中小功率三極管，可用萬(wàn)用表的R1K或R100擋測(cè)量，對(duì)于功率在1W以上的大功率三極管，用萬(wàn)用表的R10或R1擋測(cè)量。2.2 元器件的修理常識(shí)1. 用萬(wàn)用表判別管腳和管型 第一步：判別基極和管型 用黑表筆接觸某一管腳，用紅表筆分別接觸另兩個(gè)管腳，用此方法幾次試探，如表頭電阻讀數(shù)都很小，則與黑表筆接觸的管腳是基極，同時(shí)可確定為NPN型三極管；若用紅表筆接觸某一管腳，用黑表筆分別接觸另兩個(gè)管腳，如表頭讀數(shù)都很小，則與紅表筆接

24、觸的管腳是基極，同時(shí)可確定為PNP型三極管。 第二步：判別發(fā)射極e和集電極c以NPN型三極管為例，當(dāng)基極確定后，假設(shè)余下的兩腳中的一腳是集電極，將黑表筆接到此腳上，紅表筆接到余下的假設(shè)發(fā)射極上，用稍潮濕的手捏在基極和假設(shè)的集電極之間（注意：b、e極不要相碰），觀察并計(jì)下此時(shí)的阻值。再把兩腳作相反假設(shè)，用同樣的方法測(cè)試并計(jì)下阻值。比較兩次讀數(shù)大小，則阻值小的那次黑表筆接的就是NPN管的集電極c，余下的一腳便是發(fā)射極e。判別PNP型三極管方法同上，但必須把上述表筆極性對(duì)調(diào)一下測(cè)試。 估測(cè)三極管的電流放大系數(shù) 把萬(wàn)用表?yè)艿较鄳?yīng)的歐姆擋，測(cè)量集電極與發(fā)射極間的電阻，再用潮手捏在基極b與集電極e之間（潮

25、手代替基極偏置電阻RB，約100K左右），觀察指針擺動(dòng)幅度大小，擺動(dòng)越大則越大。2.2 元器件的修理常識(shí) 2. 用萬(wàn)用表直接測(cè)量 一般的萬(wàn)用表都有測(cè)的功能，將萬(wàn)用表?yè)艿紿FE擋，三極管插入測(cè)試孔中即可從刻度盤上直讀值。若c、e極未知，只要將c、e對(duì)調(diào)以下測(cè)兩次，指針偏轉(zhuǎn)較大的那次插腳正確，且從表插孔旁邊標(biāo)記即可判別出c極和e極。 實(shí)踐小經(jīng)驗(yàn)：對(duì)于常用的小功率三極管而言，如9013、9014等三極管，也可以利用電筒電路，快速地粗測(cè)其性能判斷好壞。將電路中的電池正極接三極管的基極，電池的負(fù)極分別碰觸三極管的集電極與發(fā)射極。如果在碰觸集電極時(shí)電珠即發(fā)光呈暗紅色亮光，而碰觸發(fā)射極時(shí)電珠也發(fā)亮光，則證明

26、該管性能基本良好。若碰觸集電極或發(fā)射極時(shí)，只有其中一次電珠不亮，則說明該管的一個(gè)電極存在斷路。但當(dāng)電池負(fù)極碰觸集電極和發(fā)射極時(shí)，電珠均不發(fā)光，那么證明該管內(nèi)部已開路。 2.2 元器件的修理常識(shí)2.2.1.3 單向晶閘管檢測(cè) 單向晶閘管的管腳排列如圖2-12所示。 圖2-12晶閘管的管腳排列2.2 元器件的修理常識(shí) 1. 電極檢測(cè)判別 由晶閘管內(nèi)部結(jié)構(gòu)知，控制極G和 陰極K間是一個(gè)PN結(jié)，而GA和AK間存在反向的PN結(jié)。檢測(cè)時(shí)先將萬(wàn)用表?yè)艿絉1K擋，假定晶閘管某一端為控制極G且接上黑表筆，然后用紅表筆分別觸及另外兩腳，若有一次正向?qū)?，則假定的控制極是對(duì)的，而導(dǎo)通的那次紅表筆接的是陰極K。余下的

27、一極是陽(yáng)極A。如果兩次都不導(dǎo)通，則假定錯(cuò)誤，再重新設(shè)定檢測(cè)。2.2 元器件的修理常識(shí)2. 質(zhì)量判別 應(yīng)用電筒電路亦能估測(cè)可控硅管子的好壞及導(dǎo)通和阻斷情況。將單向可控硅的陰極與電池負(fù)極相連接，陽(yáng)極A與電池正極相接，這時(shí)電路中的小電珠若無光亮，則證明可控硅的正向阻斷性能基本良好。再找一根細(xì)導(dǎo)線將電池的正極端與可控硅的控制電極（G）迅速碰觸一下，這時(shí)電珠若閃光發(fā)亮，則說明可控硅的導(dǎo)通性能良好。若導(dǎo)線碰觸時(shí)電珠不亮，或小電珠瞬間閃亮一下又即刻熄滅，則說明該管的導(dǎo)通能力很差，根本無法導(dǎo)通。 故障分析 如果GK之間的正、反向電阻都等于零，或GK與AK之間的正、反向電阻都很小，說明晶閘管內(nèi)部短路；如果GK之

28、間的正、反向電阻都為無窮大，說明晶閘管內(nèi)部斷路。2.2 元器件的修理常識(shí)2.2.2 元器件的替代 在維修中若已判斷某一器件損壞，如果現(xiàn)有或能購(gòu)到同樣的器件并將其換上最好，但有時(shí)很難買到同樣的器件，此時(shí)則應(yīng)考慮替代的問題。 1. 半導(dǎo)體器件的替代 替代之前應(yīng)確認(rèn)元器件是否已損壞。因?yàn)榘雽?dǎo)體器件不如電容電阻那樣耐焊易拆卸，在拆卸中，人為損壞較多。記錄下各電極的位置，再將器件取下，并再次確認(rèn)原器件是否損壞，在確認(rèn)已損壞時(shí)，應(yīng)記錄下器件的型號(hào)、制造廠家。最好的替代是同一制造廠家、同一型號(hào)的產(chǎn)品。如果不具備這一條件，應(yīng)通過器件手冊(cè)查找元器件的主要參數(shù)。再根據(jù)這些主要參數(shù)選擇替代品，替代品應(yīng)符合下述2.2 元器件的修理常識(shí) 幾個(gè)條件：材料相同，即鍺鍺、硅硅替代；極性相同，即PNPPNP、NPNNPN替代； 種類相同，三極管三極管、場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管替代；主要特性相同，如最大直流耗散功率為PCM：替代品的PCM應(yīng)大于或等于原器件，而且應(yīng)進(jìn)行測(cè)量和計(jì)算原器件在線路中實(shí)際功耗PC