GB/T 35003-2018非易失性存儲器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗方法

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T35003—2018

非易失性存儲器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗方法

Testmethodsforenduranceanddataretentionofnon-volatilememory

2018-03-15發(fā)布2018-08-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T35003—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位中國電子技術(shù)標準化研究院上海復旦微電子集團股份有限公司中國電子科技

:、、

集團公司第五十八研究所北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司深圳國微電子有限公司成都華微電子科

、、、

技有限公司

。

本標準主要起草人羅曉羽董藝郭曉宇高碩劉妙謝休華

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T35003—2018

非易失性存儲器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗方法

1范圍

本標準規(guī)定了非易失性存儲器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗的方法

。

本標準適用于電可擦除可編程只讀存儲器快閃存儲器以及內(nèi)嵌上述存儲器

(EEPROM)、(Flash)

的集成電路以下簡稱器件

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體器件集成電路第部分數(shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T17574—1998。

31

.

耐久endurance

器件經(jīng)受連續(xù)多次數(shù)據(jù)重寫編程擦除循環(huán)的能力

(/)。

32

.

數(shù)據(jù)保持dataretention

在規(guī)定的時間內(nèi)器件存儲單元在非偏置狀態(tài)下保持數(shù)據(jù)的能力

,。

4設備

溫度試驗箱可以將溫度穩(wěn)定在規(guī)定溫度的之內(nèi)

±3℃。

夾具應可放入溫度試驗箱中并提供可靠的電連接

,。

5程序

51通則

.

器件耐久和數(shù)據(jù)保持試驗應按表規(guī)定的程序進行

1。

如數(shù)據(jù)保持試驗的目的是驗證器件在未經(jīng)過耐久試驗時的數(shù)據(jù)保持能力則采用程序如果數(shù)

,Ⅰ。

據(jù)保持試驗的目的是驗證器件經(jīng)過耐久試驗后的數(shù)據(jù)保持能力則采用程序

,Ⅱ。

表1耐久和數(shù)據(jù)保持試驗程序

程序要求

耐久試驗和數(shù)據(jù)保持試驗采用不