EBL基本組成及工作原理

宋晨之20150202EBL基本結(jié)構(gòu)與工作原理2021/7/11EBL=ElectronBeamLithography=電子束光刻2021/7/122021/7/13一、電子束曝光系統(tǒng)結(jié)構(gòu)2021/7/142021/7/15column2021/7/16電子源的分類

直熱式W，2700K熱發(fā)射電子源旁熱式LaB6，1800K電子源

熱場發(fā)射ZrO/W，1800K場發(fā)射電子源

冷場發(fā)射2021/7/17四種電子源對比電子源三個(gè)關(guān)鍵參數(shù)：有效源尺寸，亮度，電子能量分布熱發(fā)射源能量分布大，聚焦斑束大，產(chǎn)生嚴(yán)重相差。冷場致發(fā)射穩(wěn)定性差，對真空要求高。故EBL系統(tǒng)選用熱場致發(fā)射源。2021/7/18旁熱式&熱場致電子源結(jié)構(gòu)示意圖陽地超高電場陰陰陽2021/7/19EBL中電子源結(jié)構(gòu)示意圖2021/7/110幾個(gè)牌子的EBL性能參數(shù)2021/7/111二次電子探測器Detector2021/7/112Illustrationswithdifferentsignalsources2021/7/1132021/7/114ImagingbymeansofSE2detector:>5mmWDImagingbymeansofInlensdetector:<=10mmWD(dependingonhighvoltagesetting)ImagingbymeansofBSEdetector:8-10mm(OptimumoftheBSelectrondetection)2021/7/115InfluenceofAccelerationVoltage2021/7/116InfluenceofBeamCurrent2021/7/117InfluenceofWorkingDistance2021/7/118二、坐標(biāo)系的對準(zhǔn)2021/7/119建立坐標(biāo)系2021/7/120寫場對準(zhǔn)2021/7/121三、曝光2021/7/122掃描模式2021/7/123Exposureparameter2021/7/124Areadose2021/7/125Linedose2021/7/126Dotdoes2021/7/127Areamode2021/7/1282021/7/129Linemode2021/7/130Circlemode2021/7/131ExposurestrategiesUsedbyRaith2021/7/132四、臨近效應(yīng)2021/7/133VisualizationofEnergyDepositionGrid(EDG)2021/7/134高能電子打斷PMMA內(nèi)高分子鏈?zhǔn)疽鈭D2021/7/135前散射和背散射隨PMMA厚度的變化關(guān)系2021/7/136MonteCarloSimulations2021/7/137Energydeposition2021/7/138ProximityfunctiontrajectoriesenergydepositionenergydistributiondoubleGaussianProximityfunctionproximityfunctionhasthesame

shapeasenergydistribution

withrespecttolateraldistancesbut:nodirectrelationbetween

energyandPE!(it’sjustamodel)2021/7/139Influenceofbeamenergyon