Samsung NAND FLASH命名規(guī)則

三星的pure nand flash（就是不帶其他模塊只是nand flash存儲(chǔ)芯片）的命名規(guī)則如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack45. Density（注：實(shí)際單位應(yīng)該是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE67. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V3.6VB : 2.7V (2.5V2.9V)C : 5.0V (4.5V5.5V)D : 2.65V (2.4V 2.9V)E : 2.3V3.6VR : 1.8V (1.65V1.95V)Q : 1.8V (1.7V 1.95V)T : 2.4V3.0VU : 2.7V3.6VV : 3.3V (3.0V3.6V)W : 2.7V5.5V, 3.0V5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. 12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free) G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 15 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)【舉例說明】K9GAG08U0M-PCB0123456789101112131415161718K9GAG08U0M 詳細(xì)信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal45. DensityAG : 16G (Note: 這里單位是bit而不是byte，因此實(shí)際大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. 12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整體描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作電壓為2.7V3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封裝。三星內(nèi)存顆粒 編碼規(guī)則：K4XXXXXXXX-XXXXX 主要含義： 第1位芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。 第2位芯片類型4，代表DRAM。 第3位芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。 第11位連線“-”。 第14、15位芯片的速率，如60為6ns；70為7ns；7B為7.5ns(CL=3)；7C為7.5ns(CL=2)；80為8ns；10為10ns(66MHz)。 知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNGK4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位）16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。 注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過校驗(yàn)碼，可以檢測(cè)出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯(cuò)誤，糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過程中，不計(jì)算校驗(yàn)位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購買時(shí)也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。 / Micron內(nèi)存顆粒 Micron（美光）內(nèi)存顆粒的容量辨識(shí)相對(duì)于三星來說簡單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)編號(hào)來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。 含義： MTMicron的廠商名稱。 48內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46代表DDR。 LC供電電壓。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。 16M8內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M（地址）8位數(shù)據(jù)寬度。 A2內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。 TG封裝方式，TG即TSOP封裝。 -75內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 實(shí)例：一條MicronDDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。 其容量計(jì)算為：容量32M4bit16片/8=256MB（兆字節(jié)）。 / 西門子內(nèi)存顆粒 目前國內(nèi)市場(chǎng)上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。 Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。 -7.5表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz； -8表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。 例如： 1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為：128Mbits（兆數(shù)位）16片/8=256MB（兆字節(jié)）。 1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為：128Mbits（兆數(shù)位）8片/8=128MB（兆字節(jié)）。 / Kingmax內(nèi)存顆粒 Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tinyballgridarray）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來。 容量備注： KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空間4位數(shù)據(jù)寬度； KSV884T4A0A64Mbits，8M地址空間8位數(shù)據(jù)寬度； KSV244T4XXX128Mbits，32M地址空間4位數(shù)據(jù)寬度； KSV684T4XXX128Mbits，16M地址空間8位數(shù)據(jù)寬度； KSV864T4XXX128Mbits，8M地址空間16位數(shù)據(jù)寬度。 Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號(hào)后用短線符號(hào)隔開標(biāo)識(shí)內(nèi)存的工作速率： -7APC133/CL=2； -7PC133/CL=3； -8APC100/CL=2； -8PC100/CL=3。 例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A的內(nèi)存顆粒制造，其容量計(jì)算為：64Mbits（兆數(shù)位）16片/8=128MB（兆字節(jié)）。 內(nèi)存顆粒編號(hào)與內(nèi)存品牌知識(shí)介紹 通過查驗(yàn)內(nèi)存顆粒的型號(hào)，我們就可以計(jì)算出內(nèi)存的容量 / HY顆粒編號(hào) HYXXXXXXXXXXXXXXXX 123456789101112 1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品 2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)； 3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M8K刷新；1G：1G8K刷新 5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位 6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系 7、I/O界面：1:SSTL_3、2:SSTL_2 8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-，TD=13mmTSOP-，TG=16mmTSOP- 11、工作速度：55:1