XJ4810型半導(dǎo)體管特性圖示儀測試使用說明

1、晶體管特性圖示儀的使用晶體管測量儀器是以通用電子測量儀器為技術(shù)基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體器件為測量對象的電子儀器。用它可以測試晶體三極管（NPN型和PNP型）的共發(fā)射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性；測試各種反向飽和電流和擊穿電壓，還可以測量場效管、穩(wěn)壓管、二極管、單結(jié)晶體管、可控硅等器件的各種參數(shù)。下面以XJ4810型晶體特性圖示儀為例介紹晶體管圖示儀的使用方法。7.1 XJ4810型晶體管特性圖示儀面板功能介紹XJ4810型晶體管特性圖示儀面板如圖A-23所示：1. 集電極電源極性按鈕，極性可按面板指示選擇。2. 集電極峰值電壓保險絲：1.5A。3. 峰值電壓%：峰值電壓可在010V、050V、01

2、00V、0500V之連續(xù)可調(diào)，面板上的標稱值是近似值，參考用。4. 功耗限制電阻：它是串聯(lián)在被測管的集電極電路中，限制超過功耗，亦可作為被測半導(dǎo)體管集電極的負載電阻。5. 峰值電壓范圍：分010V/5A、050V/1A、0100V/0.5A、0500V/0.1A四擋。當(dāng)由低擋改換高擋觀察半導(dǎo)體管的特性時，須先將峰值電壓調(diào)到零值，換擋后再按需要的電壓逐漸增加，否則容易擊穿被測晶體管。AC擋的設(shè)置專為二極管或其他元件的測試提供雙向掃描，以便能同時顯示器件正反向的特性曲線。6. 電容平衡：由于集電極電流輸出端對地存在各種雜散電容，都將形成電容性電流，因而在電流取樣電阻上產(chǎn)生電壓降，造成測量誤差。為了

3、盡量減小電容性電流，測試前應(yīng)調(diào)節(jié)電容平衡，使容性電流減至最小。7. 輔助電容平衡：是針對集電極變壓器次級繞組對地電容的不對稱，而再次進行電容平衡調(diào)節(jié)。8. 電源開關(guān)及輝度調(diào)節(jié)：旋鈕拉出，接通儀器電源，旋轉(zhuǎn)旋鈕可以改變示波管光點亮度。9. 電源指示：接通電源時燈亮。10. 聚焦旋鈕：調(diào)節(jié)旋鈕可使光跡最清晰。11. 熒光屏幕：示波管屏幕，外有座標刻度片。12. 輔助聚焦：與聚焦旋鈕配合使用。13. Y軸選擇（電流/度）開關(guān)：具有22擋四種偏轉(zhuǎn)作用的開關(guān)?？梢赃M行集電極電流、基極電壓、基極電流和外接的不同轉(zhuǎn)換。14. 電流/度×0.1倍率指示燈：燈亮?xí)r，儀器進入電流/度×0.1倍

4、工作狀態(tài)。15. 垂直移位及電流/度倍率開關(guān)：調(diào)節(jié)跡線在垂直方向的移位。旋鈕拉出，放大器增益擴大10倍，電流/度各擋IC標值×0.1，同時指示燈14亮.16. Y軸增益：校正Y軸增益。17. X軸增益：校正X軸增益。18.顯示開關(guān)：分轉(zhuǎn)換、接地、校準三擋，其作用是：轉(zhuǎn)換：使圖像在、象限內(nèi)相互轉(zhuǎn)換，便于由NPN管轉(zhuǎn)測PNP管時簡化測試操作。接地：放大器輸入接地，表示輸入為零的基準點。校準：按下校準鍵，光點在X、Y軸方向移動的距離剛好為10度，以達到10度校正目的。19. X軸移位：調(diào)節(jié)光跡在水平方向的移位。20. X軸選擇（電壓/度）開關(guān)：可以進行集電極電壓、基極電流、基極電壓和外接四

5、種功能的轉(zhuǎn)換，共17擋。21. “級/簇”調(diào)節(jié)：在010的范圍內(nèi)可連續(xù)調(diào)節(jié)階梯信號的級數(shù)。22. 調(diào)零旋鈕 ：測試前，應(yīng)首先調(diào)整階梯信號的起始級零電平的位置。當(dāng)熒光屏上已觀察到基極階梯信號后，按下測試臺上選擇按鍵“零電壓”，觀察光點停留在熒光屏上的位置，復(fù)位后調(diào)節(jié)零旋鈕，使階梯信號的起始級光點仍在該處，這樣階梯信號的零電位即被準確校正。23. 階梯信號選擇開關(guān)：可以調(diào)節(jié)每級電流大小注入被測管的基極，作為測試各種特性曲線的基極信號源，共22擋。一般選用基極電流/級，當(dāng)測試場效應(yīng)管時選用基極源電壓/級。24. 串聯(lián)電阻開關(guān)：當(dāng)階梯信號選擇開關(guān)置于電壓/級的位置時，串聯(lián)電阻將串聯(lián)在被測管的輸入電路中

6、。25. 重復(fù)關(guān)按鍵：彈出為重復(fù)，階梯信號重復(fù)出現(xiàn)；按下為關(guān)，階梯信號處于待觸發(fā)狀態(tài)。26. 階梯信號待觸發(fā)指示燈：重復(fù)按鍵按下時燈亮，階梯信號進入待觸發(fā)狀態(tài)。27. 單簇按鍵開關(guān)：單簇的按動其作用是使預(yù)先調(diào)整好的電壓（電流）/級，出現(xiàn)一次階梯信號后回到等待觸發(fā)位置，因此可利用它瞬間作用的特性來觀察被測管的各種極限特性。28. 極性按鍵：極性的選擇取決于被測管的特性。29. 測試臺：其結(jié)構(gòu)如圖A-24所示。30. 測試選擇按鍵：“左”、“右”、“二簇”：可以在測試時任選左右兩個被測管的特性，當(dāng)置于“二簇”時，即通過電子開關(guān)自動地交替顯示左右二簇特性曲線，此時“級/簇”應(yīng)置適當(dāng)位置，以利于觀察。

7、二簇特性曲線比較時，請不要誤按單簇按鍵。“零電壓”鍵：按下此鍵用于調(diào)整階梯信號的起始級在零電平的位置，見（22）項?！傲汶娏鳌辨I：按下此鍵時被測管的基極處于開路狀態(tài)，即能測量ICEO特性。31、32. 左右測試插孔：插上專用插座（隨機附件），可測試F1、F2型管座的功率晶體管。33、34、35.晶體管測試插座。36. 二極管反向漏電流專用插孔（接地端）。在儀器右側(cè)板上分布有圖A-25所示的旋鈕和端子：37. 二簇移位旋鈕：在二簇顯示時，可改變右簇曲線的位置，更方便于配對晶體管各種參數(shù)的比較。38. Y軸信號輸入：Y軸選擇開關(guān)置外接時，Y軸信號由此插座輸入。39. X軸信號輸入：X軸選擇開關(guān)置外

8、接時，X軸信號由此插座輸入。40. 校準信號輸出端：1V、0.5V校準信號由此二孔輸出。7.2測試前注意事項為保證儀器的合理使用，既不損壞被測晶體管，也不損壞儀器內(nèi)部線路，在使用儀器前應(yīng)注意下列事項：1. 對被測管的主要直流參數(shù)應(yīng)有一個大概的了解和估計，特別要了解被測管的集電極最大允許耗散功率PCM、最大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。2. 選擇好掃描和階梯信號的極性，以適應(yīng)不同管型和測試項目的需要。3. 根據(jù)所測參數(shù)或被測管允許的集電極電壓，選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下，應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零，更改掃描電壓范圍時，也應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零。選擇一定的功耗電阻，測試反向特性

9、時，功耗電阻要選大一些，同時將X、Y偏轉(zhuǎn)開關(guān)置于合適擋位。測試時掃描電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。4. 對被測管進行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，一般宜先小一點，再根據(jù)需要逐步加大。測試時不應(yīng)超過被測管的集電極最大允許功耗。5. 在進行ICM的測試時，一般采用單簇為宜，以免損壞被測管。6. 在進行IC或ICM的測試中，應(yīng)根據(jù)集電極電壓的實際情況選擇，不應(yīng)超過本儀器規(guī)定的最大電流，見表A-3。表A-3 最大電流對照表7. 進行高壓測試時，應(yīng)特別注意安全，電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。觀察完畢，應(yīng)及時將峰值電壓調(diào)到零。7.3基本操作步驟1. 按下電源開關(guān)，指示燈亮，預(yù)熱15分鐘后，即可進

10、行測試。2. 調(diào)節(jié)輝度、聚焦及輔助聚焦，使光點清晰。3. 將峰值電壓旋鈕調(diào)至零，峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開關(guān)置于測試所需位置。4. 對X、Y軸放大器進行10度校準。5. 調(diào)節(jié)階梯調(diào)零。6. 選擇需要的基極階梯信號，將極性、串聯(lián)電阻置于合適擋位，調(diào)節(jié)級/簇旋鈕，使階梯信號為10級/簇，階梯信號置重復(fù)位置。7. 插上被測晶體管，緩慢地增大峰值電壓，熒光屏上即有曲線顯示。7.4測試實例1. 晶體管hFE和值的測量以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 hFE的測試條件為VCE =1V、IC=10mA。將光點移至熒光屏的左下角作座表零點。儀器部件的置位詳見表A-4。表A-4 

11、   3DK2晶體管hFE、測試時儀器部件的置位逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到一簇特性曲線，如圖A-26所示.讀出X軸集電極電壓Vce =1V時最上面一條曲線（每條曲線為20A，最下面一條IB=0不計在內(nèi)）IB值和Y軸IC值，可得 PNP型三極管hFE和的測量方法同上，只需改變掃描電壓極性、階梯信號極性、并把光點移至熒光屏右上角即可。2.晶體管反向電流的測試以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 ICBO、ICEO的測試條件為VCB、VCE均為10V。測試時，儀器部件的置位詳見表A-5。逐漸調(diào)高“峰值電壓”使X軸VCB=10V，讀出Y軸的偏移量，即為被測值。被

12、測管的接線方法如圖1-28，其中圖A-28（a）測ICBO值，圖A-28（b）測ICEO值、圖A-28（c）測IEBO值。圖A-29 反向電流測試曲線PNP型晶體管的測試方法與NPN型晶體管的測試方法相同。可按測試條件，適當(dāng)改變擋位，并把集電極掃描電壓極性改為“”，把光點調(diào)到熒光屏的右下角（階梯極性為“+”時）或右上角（階梯極性為“”時）即可。3.晶體管擊穿電壓的測試以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的測試條件IC分別為100A、200A和100A。測試時，儀器部件的置位詳見表A-6。逐步調(diào)高“峰值電壓”，被測管按圖A-30（a）的接法，Y軸IC=0.1mA時，X軸的偏移量為BVCEO值；被測管按圖A-30（b）的接法，Y軸IC=0.2m A時，X軸的偏移量為BVCEO值；被測管按圖A-30（c）的接法，Y軸IC=0.1mA時，X軸的偏移量為BVEBO值。表A-8 2DP5C整流二極管測試時儀器部件的置位6.二簇特性曲線比較測試以NPN型3DG6晶體管為例，查手冊得知3DG6晶體管輸出特性的測試條件為IC=10 mA、VCE=