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1、CZ法,直拉法又稱(chēng)為切克勞斯基法1918年由切克勞斯基（Czochralski）建立起來(lái)的一種晶體生長(zhǎng)方法，簡(jiǎn)稱(chēng)CZ法。CZ法的特點(diǎn)是在一個(gè)直筒型的熱系統(tǒng)匯總，用石墨電阻加熱，將裝在高純度石英坩堝中的多晶硅熔化，然后將籽晶插入熔體表面進(jìn)行熔接，同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶，再反轉(zhuǎn)坩堝，籽晶緩慢向上提升，經(jīng)過(guò)引晶、放大、轉(zhuǎn)肩、等徑生長(zhǎng)、收尾等過(guò)程，一支硅單晶就生長(zhǎng)出來(lái)了。區(qū)熔法又稱(chēng)FZ法，即懸浮區(qū)熔法。區(qū)熔法是利用熱能在半導(dǎo)體棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū)，再熔接單晶籽晶。調(diào)節(jié)溫度使熔區(qū)緩慢地向棒的另一端移動(dòng)，通過(guò)整根棒料，生長(zhǎng)成一根單晶，晶向與籽晶的相同。區(qū)熔法分為兩種：水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、Ga

2、As等材料的提純和單晶生長(zhǎng)。后者主要用于硅，這是由于硅熔體的溫度高，化學(xué)性能活潑， 容易受到異物的玷污，難以找到適合的舟皿，不能采用水平區(qū)熔法。NTD中子嬗變摻雜，Neutron Transmutation Doping (NTD) 這是采用中子輻照的辦法來(lái)對(duì)材料進(jìn)行摻雜的一種技術(shù)，其最大優(yōu)點(diǎn)就是摻入的雜質(zhì)濃度分布非常均勻。對(duì)于半導(dǎo)體硅，通過(guò)熱中子的輻照，可使部分的Si同位素原子轉(zhuǎn)變?yōu)榱祝≒）原子14Si31的半衰期為2.62小時(shí)： 14Si30+ 中子 14Si31+射線 15P31+射線；從而在Si中出現(xiàn)了施主磷而使Si成為了n型。對(duì)于Ge，通過(guò)熱中子的輻照，可使含量超過(guò)95%的同位素32Ge70原子轉(zhuǎn)變?yōu)槭苤?1Ga71，從而可使Ge成為p型半導(dǎo)體。由于同位素原子在晶體中的分布是非常均勻的，而且中子在硅中的穿透深度又很大100cm，所以這種n型Si和p型Ge的摻雜非常

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