模擬電子技術(shù)題庫(kù)答案

1、模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室2010-9模擬電子技術(shù)試題匯編第一章半導(dǎo)體器件、填空題1、本征硅中若摻入5價(jià)元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是電子 ，少數(shù)載流子應(yīng)是空穴 。2、在N型半導(dǎo)體中，電子濃度 大于空穴濃度,而在P型半導(dǎo)體中，電子濃度 小于空穴濃度。3、PN結(jié)反向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)將變寬 。4、雙極型三極管輸出特性的三個(gè)區(qū)域分別是飽和 區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)。5、場(chǎng)效應(yīng)管分為兩大類(lèi)：一類(lèi)稱(chēng)為 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,另一類(lèi)稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。6、PN結(jié)外加反向電壓，即電源的正極接 N區(qū)，電源的負(fù)極接P區(qū)，這種接法稱(chēng) 為 反向接法或 反向偏置。7、半導(dǎo)體二極管的基本特性是單向

2、導(dǎo)電性 ，在電路中可以起_整流禾口 檢波 等作用。8、雙極型半導(dǎo)體三極管按結(jié)構(gòu)可分為 _NPN型和 PNP 型兩種.它們的符號(hào)分別為 和。9、PN結(jié)中進(jìn)行著兩種載流子的運(yùn)動(dòng)：多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)。10、硅二極管的死區(qū)電壓約為 _0.5 V,錯(cuò)二極管的死區(qū)電壓約為_(kāi)0.1 M11、晶體管穿透電流I ceo是反向飽 和電流Icbo的 J+B儕，在選用晶體管的時(shí)候，一般希望Icbo盡量 /、。gm12、場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是跨導(dǎo) 。13、PN結(jié)具有一單向?qū)щ奯特性。14、雙極型三極管有兩個(gè)PN結(jié)，分別是 集電結(jié)禾口 發(fā)射結(jié)<15、為了保證三極管工作在放大區(qū)，應(yīng)使

3、發(fā)射結(jié)F向偏置、集電路 反向 偏置。16、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓 控制型元件、而雙極型三極管是電流控制型元件。17、本征硅中若摻入3價(jià)元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是 空穴 ，少數(shù)載 流子應(yīng)是電子 。18、P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 空穴 ，少數(shù)載流子是 電子 。19、PN結(jié)外加正向電壓，即電源的正極接 P區(qū)，電源的負(fù)極接N區(qū)，這種接法稱(chēng) 為正向接法 或正向偏置。20、從雙極型三極管內(nèi)部三個(gè)區(qū)引出三個(gè)電極， 分別J是 集電極> 發(fā)射 極_禾口極。21、雙極型三極管起放大作用的外部條件是：（1）發(fā)射結(jié)外加上向電壓；（2）集電結(jié)外加反向電壓。22、N型半導(dǎo)體可用 正離子和等量的負(fù)電子來(lái)簡(jiǎn)化表示。23、PN

4、結(jié)正向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)將變窄。24、二極管的兩個(gè)電極分別稱(chēng)為陽(yáng)極和陰極、二極管的符號(hào)是025、當(dāng)溫度升高時(shí)，三極管的輸入特性曲線(xiàn)會(huì)左 移、輸出特性曲線(xiàn)會(huì) 移，而且輸出特性曲線(xiàn)之間的間隔將 .增大。26、影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是溫度。27、P型半導(dǎo)體可用!離子和等量的 空穴來(lái)簡(jiǎn)化表示。28、主要半導(dǎo)體材料是®不口錯(cuò) ；兩種載流子是 空穴和電子 ;兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體是 P型 和 N型 29、二極管外加 正 向電壓導(dǎo)通、外加 反向電壓截止。30、當(dāng)溫度升高時(shí)，三極管的參數(shù)B會(huì) 變大 、Icbo會(huì) 增加,導(dǎo)通電壓會(huì) 變小。31、雙極型三極管有兩種載流子導(dǎo)電，即多數(shù)載流子和 少數(shù)載流

5、子 導(dǎo)電、而單極型三極管只有一種載流子導(dǎo)電，即多數(shù)載流子導(dǎo)電。32、N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子 ，少數(shù)載流子是一空穴。33、某晶體管的極限參數(shù)PCm 150mW , Icm 100mA, U（br）ce0 30V。若它的工作電壓Uce 10V ,則工作電流不得超過(guò)15 mA;若工作電壓Uce 1V ,則工作電流不得超過(guò)100 mA;若工作電流IC 1mA,則工作電壓不得超過(guò) 30 V。34、放大電路中，已知三極管三個(gè)電極的對(duì)地電位為 Va=-9V, Vb = 6.2V, Vc=6V,則該三極管是 PNP 型三極管，A為集電極,B為基極,C為發(fā)射極。35、雙極型三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是。

6、36、場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性的三個(gè)區(qū)域分別是 ®流 區(qū)、:可變電阻K、_夾斷 Ko37、純凈的、不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱(chēng)為 本征半導(dǎo)體。38、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管比較，一場(chǎng)效應(yīng) 管的熱穩(wěn)定好，輸入電阻高，.晶 體 管的放大能力強(qiáng)。39、雙極型三極管內(nèi)部有三個(gè)摻雜區(qū)域，分別是 發(fā)射區(qū)> 基區(qū) f 口_集電區(qū)。、選擇題1、從二極管伏安特性曲線(xiàn)可以看出，二極管兩端壓降大于（ B ）時(shí)處于正偏 導(dǎo)通狀態(tài)。A. 0B.死區(qū)電壓C.反向擊穿電壓D.正向壓降2、雜質(zhì)半導(dǎo)體中（ A ）的濃度對(duì)溫度敏感。A.少子B.多子C.雜質(zhì)離子D.空穴3、晶體管的集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置，它的工作狀態(tài)是（ B ）

7、, 若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)都反向偏置，它的工作狀態(tài)是（ A ）,若集電結(jié)和發(fā)射結(jié) 均正向偏置，則它的工作狀態(tài)是（ C ）。A.截止 B.放大C.飽和D.損毀4、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 （B ）。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者也正偏5、雙極型晶體管工作時(shí)有（ A ）和（ B ）兩種載流子參與導(dǎo)電， 而場(chǎng)效應(yīng)管所導(dǎo)電過(guò)程僅僅取決于（A ）的流動(dòng)。A.多子B.少子C.自由電子D.空穴6、當(dāng)NPN型晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，各極電位關(guān)系為Uc （A ） Ub （A ） UeA.>B.<C. =D.<7、對(duì)二極

8、管正向電阻rz和反向電阻上的要求是（ C ）A.外rF都大B.亞、年都小C . rz很小，"很大D . rz大，"小8、穩(wěn)壓二極管動(dòng)態(tài)電阻rz （ B ）,穩(wěn)壓性能愈好。A.愈大B.愈小C.為任意值9、三極管當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏時(shí)工作于（ C ）狀態(tài)。A.放大 B.截止 C.飽和 D.無(wú)法確定10.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的偏置方式是（A、D ）A.自給偏壓電路B.外加偏壓電路C.無(wú)須偏置電路D.柵極分壓與源極自偏結(jié)合11、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（ A ）,而少數(shù)載流子 的濃度與（B ）有很大關(guān)系。A.溫度 B.摻雜工藝C.雜質(zhì)濃度D.晶體管缺陷12、場(chǎng)效

9、應(yīng)管屬于（ B ）控制型器件，而晶體管若用簡(jiǎn)化 h參數(shù)來(lái)分析, 則可認(rèn)為是（C ）控制型器件。A.電荷B.電壓C.電流13、當(dāng)PN節(jié)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流（ B ）漂移電流，耗盡層（D ）。A.大于 B.小于 C.等于 D.變寬 E.變窄 F.不變14、當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管正向特性和反向特性曲線(xiàn)分別（ D ）。A.左移，下移 B.右移，上移 C.左移，上移 D.右移，下移15、PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)空間電荷區(qū)將（ A ）。A.變窄B.基本不變C.變寬D.先變窄，后變寬16、 在250C時(shí)，某二極管的死區(qū)電壓 Uth = 0.5V,反向飽和電流Is=0.1pA, 則在350C時(shí)，下列哪組

10、數(shù)據(jù)可能正確：（ D ）。AUth= 0.575V,Is=0.05pABUth0.575V,Is=0.2pACUth= 0.475V,Is=0.05pADUth = 0.475V,Is=0.2pA17、用萬(wàn)用表判斷放大電路中處于正常工作的某個(gè)晶體管的類(lèi)型（NPN或PNP） 與三個(gè)電極時(shí)，最為方便的測(cè)試方法為（ B ） oA.測(cè)試各極間電阻B.測(cè)試各極間、對(duì)地電壓C.測(cè)試各極電流三、判斷題1、三極管在工作頻率大于最高工作頻率 fM時(shí)會(huì)損壞。（X ）2、穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時(shí)應(yīng)工作在正向?qū)▍^(qū)域。（ X ）3、與三極管放大電路相比，場(chǎng)效應(yīng)管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫 度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。（V ）

11、4、P型半導(dǎo)體可通過(guò)在純凈半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而獲得。（ X ）5、有人測(cè)得晶體管在Ube=0.6V時(shí)，Ib=5 A,因此認(rèn)為在此工作點(diǎn)上的 心大約 為空mv 5.2K 。IB6、通常結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET在漏極和源極互換使用時(shí)，仍有正常的放 大作用。（V ）7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時(shí)，仍有較大的電流放大作用。（X ）8、在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的三階雜質(zhì)可以改型為P型半導(dǎo)體。（V ）9、P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（ X ）10、PN結(jié)內(nèi)擴(kuò)散電流是載流子在電場(chǎng)作用下形成的。（ X ）11、漂移電流是少數(shù)載流子在電場(chǎng)作用下形成的。（ V ）12、由于PN結(jié)

12、交界面兩邊存在電位差，所以當(dāng)把 PN結(jié)兩端短路時(shí)，就有電流 流過(guò)。（X ）13、PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向特性和反向特性，也可以描述PN結(jié)的反向 擊穿特性。（X ）14、場(chǎng)效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)是具有特別高的輸出電阻（ X ）15、有人測(cè)試晶體管的% ,方法是通過(guò)測(cè)得晶體管的Ube 0.7, Ib 20 mA,推算出be u BE /1B 0.7V/20mA 35K。（ X ）四、綜合題1、放大電路中測(cè)得晶體管各電極電位如下表所示，試將表格填寫(xiě)完整。（10分）管腳（各電極）電位晶體管1晶體管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V電極（e或b或c）ebccbeNPN 或 PNPNPNPNP材

13、料（Si或Ge）SiGe2、判斷下列管子的工作狀態(tài)（a飽和；b.放大；c.截止；d損壞）（共8分）管子類(lèi)型NPNPNPNPNPNP各電極電位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2狀態(tài)cbda3、如下圖，試確定二極管D是正偏還是反偏？設(shè)二極管正偏時(shí)的正向壓降為 0.7V, 試計(jì)算Ux和Uy的值（共9分）+10VR+10V2RUy3ED Ux1 2R芥D。Ux11 R(a)答案：(a)D正偏導(dǎo)通,10 0.7I=3R10 0.7Ux 2RI= =6.2V 3Uy 6.2 0.7 6.9V(b)D僅偏截止I=0UX =0Uy=10

14、V(b)4、如下圖，設(shè)硅穩(wěn)壓管Vdzi、Vdz2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V,求Uo為多少?（共3分）1KUy-9 -VD2 7S?VD1 ZSiO20V答：U0=9-6=3V5、（3分）圖示電路中二極管為理想二極管，請(qǐng)判斷它是否導(dǎo)通，并求出u0or-FD門(mén)門(mén)3k*3V .D導(dǎo)通，U0 3V6、判斷下列電路能否放大電壓信號(hào)。(設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)視為短路)(9分)都不能放大電壓信號(hào)(a)輸入交流短路(b)無(wú)直流基極偏壓(c)輸入交流短路7、如下圖，設(shè)硅穩(wěn)壓管Vdzi、Vdz2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V,穩(wěn)壓管的正向壓降為0.7V,試寫(xiě)出輸出電壓Uo為多少？(共8分)R1K25V VDZlZ! r

15、，VDZ2U0 0.7V (b)RIh1K25V VDZ1 本 7RVDZ2(c) Uo 6.7VUo(d)6VUo= ?(a) D 導(dǎo)通 Uo 6V(b) D 截止 Uo 12VVOD1D212V(c) D1導(dǎo)通D2截止U0=0V(d) D2先導(dǎo)通D1截止U 0 =-3V8、設(shè)二極管理想化，試判斷下列各圖二極管是否導(dǎo)通還是截止？并求出模擬電子技術(shù)試題匯編第二章放大電路原理、填空題1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中，共集 組態(tài)帶負(fù)載能力強(qiáng)、 共基組態(tài)頻率響應(yīng)好，共射組態(tài)有倒相作用，共集 組態(tài)向信號(hào)源索取的電流小。2、多級(jí)放大電路的 對(duì)數(shù)增益等于其各級(jí)對(duì)數(shù)增益的 2a。3、BJT放大電路的三種組

16、態(tài)是共射、 共基: 共集4、影響放大電路工作點(diǎn)穩(wěn)定的主要原因是溫度變化5、三極管 共集 組態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特點(diǎn)。6、放大電路最常用的基本分析方法,就是 圖解法?口微變等效電路法07、共集電極放大電路又稱(chēng)為射極輸出器或射隨器8、多級(jí)放大電路常用的耦合方式有三種：即阻容放合、 直接耦合 變壓器耦合。9、放大電路的三種基本組態(tài)中，一共射組態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力，共集只具有電流放大能力，共基組態(tài)只具有電壓放大能力。10、放大的本質(zhì)首先是實(shí)現(xiàn)_K的控制；所謂放大作用，具放大的對(duì)象是變化量。11、產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受溫度 的影響而發(fā)生波動(dòng)，導(dǎo)致放

17、大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定。12、輸出電壓離開(kāi)零點(diǎn)，緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化，這種現(xiàn)象稱(chēng)為零點(diǎn)漂移0二、選擇題1、關(guān)于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)（簡(jiǎn)稱(chēng) Q點(diǎn)），下列說(shuō)法中不正確的是（D ）。A. Q點(diǎn)過(guò)高會(huì)產(chǎn)生飽和失真B. Q點(diǎn)過(guò)低會(huì)產(chǎn)生截止失真C.導(dǎo)致Q點(diǎn)不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化D. Q點(diǎn)可采用微變等效電路法求得2、雙極型三極管放大電路中，輸入電阻最大的是B 電路。A.共發(fā)射極 B.共集電極C .共基極 D .不能確定3、晶體管放大電路中，高頻特性最好的電路是（ D ）。A.共射電路B.共集電路C.共源電路 D.共基電路4、有兩個(gè)放大倍數(shù)（電路相同，采用同一晶體管）相同，輸入和輸出電阻不同的

18、放大電路A和B,對(duì)同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號(hào)源電壓進(jìn)行放大，在負(fù)載開(kāi)路的條件下測(cè)得A的輸出電壓小，這說(shuō)明A的（B ） oA.輸入電阻大 B .輸入電阻小 C .輸出電阻大 D.輸出電阻小5、多極放大電路的增益人是（B ）、輸入電阻R是（A ）、輸出電阻Ro是（C ）。A.由第一級(jí)確定B.由各級(jí)共同確定C.由末級(jí)電路確定6、某放大電路在負(fù)載開(kāi)路時(shí)的輸出電壓為 4V,接入3K的負(fù)載電阻的輸出電壓降為3V,這說(shuō)明放大電路的輸出電阻為（C ）A. 10K B . 2K C 1K D 0.5K7、放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是（ A ）。A.環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化B .放大倍數(shù)太大C.晶體管的噪聲太大D

19、.外界存在干擾源8、在多級(jí)放大電路常見(jiàn)的三種耦合方式中選擇合適者：（本題可多選）（1）要求各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)互不影響，可選用（A,C ）。（2）要求能放大直流信號(hào)，可選用（B ）。(3)要求能放大高頻交流信號(hào)，可選用 (A,B )。(4)要求電路的溫漂小，可選用(A,C )。(5)為了實(shí)現(xiàn)阻抗交換，使信號(hào)與負(fù)載間有較好的耦合，應(yīng)采用( C )A.阻容耦合B .直接耦合9、用微變等效電路法分析放大電路( BA.只能分析靜態(tài)工作點(diǎn)B.C.既可分析靜態(tài)，也能分析動(dòng)態(tài)10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是(大電壓的電路是(C )。A.共基放大電路 B .共集放大電路C .變壓器耦合)只能分析動(dòng)態(tài)參數(shù)B )

20、;既能放大電流，又能放C .共射放大電路的變化情況，選擇正確答案填入空格(1) Rb減小時(shí)，輸入電阻Ri _ B11、對(duì)于基本共射放大電路，如下圖，試判斷某一參數(shù)變化時(shí)放大電路動(dòng)態(tài)性能-7 -(2) Rc增大時(shí)，輸出電阻Ro A(3)信號(hào)源內(nèi)阻Rs增大時(shí)，輸入電阻R CAu(4)信號(hào)源遠(yuǎn)內(nèi)阻Rs減小時(shí)，電壓放大倍數(shù)UoUs(5)負(fù)載電阻Rl增大時(shí)，電壓放大倍數(shù)Au(6)負(fù)載電阻Rl減小時(shí)，輸出電阻Ro C_;(7) 若Rb減小，則靜態(tài)的Ib將A,UCEQ將B、電壓放大倍數(shù)UoUi(8)若換一個(gè)值較小的晶體管，則靜態(tài)的Ib將 C 。Rb增大時(shí),U CEQ 將 _A_。(10)Rc增大時(shí),U CE

21、Q 將 B 0(11)Rs增大時(shí),(12)Rl增大時(shí),U CEQ 將 C OA.增大B.減小C.12、由NPNft體管組成的基本放大電路，如圖:輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真，則:(1)這種失真是BA.飽和失真B. 截止失真 C.交越失真D.頻率失真。(2)為了消除這種失真，應(yīng) DA.減小集電極電阻Rc B.改換 小的管子C.增大基極偏置電阻RbD.減小基極偏置電阻Rb, E.減小電源電壓VCC。13、由PNP®體管組成的基本放大電路，如圖:電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真：則(1)這種失真是AA.飽和失真B.截止失真C 交越失真 D頻率失真。(2)為了消除這種失真，應(yīng)A, B, CA

22、.減小集電極電阻Rc B.改換 小的管子C增大基極偏置電阻RbD.減小基極偏置電阻Rb E.減小電源電壓VCC。14、如下圖，選擇正確答案填空(1)要使靜態(tài)工作電流Ic減小，則Rb2應(yīng)_A一。(2) &2在適當(dāng)范圍內(nèi)增大，則| Au|B , R_A一，Ro_C (3) Re在適當(dāng)范圍內(nèi)增大，則| Au|C Ri_C,RoC。(4) 從輸出端開(kāi)路，到接上 Rl ,靜態(tài)工作點(diǎn)將_C U。B(設(shè) 靜態(tài)工作點(diǎn)偏低)(5) Vcc減小時(shí)，直流負(fù)載線(xiàn)斜率_C(6) Rc減小時(shí)，直流負(fù)載線(xiàn)斜率 A A.增大 B. 減小C. 不變(7)若Vcc=10V, % =4 K , Rb2 =6K , Re =

23、3.3 K , Rc =2K , C1、C2 足 夠大，設(shè)U be 0.7V則：Vi=0 ,管壓降U CE大約是 B(A. 4V B . 4.7V C 7V D 5V)使管子印由50改為100,則Au|是 A1(A.約為原來(lái)的2倍B.約為原來(lái)的2 C.基本不變D約為原來(lái)的4倍)保持 二50不變，將Re由3.3 K 改為6.6 K ，則| Au | C 。1(A約為原來(lái)的2倍 B約為原來(lái)的2 C 基本不變1D約為原來(lái)的4倍 E約為原來(lái)的4 )15、兩級(jí)放大電路Au1=-40,入2=-50,若輸入電壓ui 5mV,則輸出電壓uo為_(kāi)CA . -200mV B.-250mV C.10V D.100V

24、三、判斷題1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號(hào)(能放大的M不能正常放大的畫(huà)公)。2、測(cè)得某些電路中幾個(gè)三極管各極的電位如下圖所示，試判斷各三極管 晶體管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)。+2V+ 12V+ 10.75VO-7+3V(b)+ 10.3VJ+ 10V(d)-5.3V。0V-6V(c)放大O 5V0.7VO 0V放大截止飽和3、判斷三極管的工作狀態(tài)（放大、截止、飽和）。（6分）（b） 截止（a）放大3分，共4、判斷圖示電路是否有信號(hào)放大作用（用，“X”表示。每圖12分）模擬電子技術(shù)試題匯編 +Vcc+VCCr+V-+ +Vcc+Vcc+VccLTl+VccLzs-13 -(d)

25、(e)(f)(d)x(e)(f) V5、判斷下列電路能否放大電壓信號(hào)。（6分）（設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)視為短路）I+Vcc1XX6、如下圖，判斷是否正確:(c)(c)(b)(b)g+Vcc(a)(a)+VccL(1) Ri = RbiRb2( rbe + Re) ( X )(2) R = Rbi/Rb2%e+(1+ )Re(X )(3) R = Rbi/&2rbe( V )(4) Ro=Rc/Rl(義)(5) Ro=Rc( V )(6) Au= - R/Rl( X )rbe Re Au=RcL( X )rbe(8) Au= - Rc / Rl( V )rbe7、判斷下列說(shuō)法是否正確，

26、對(duì)的畫(huà) M錯(cuò)誤的畫(huà)X(1)晶體管的輸入電阻rbe是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻，故它與靜態(tài)工作點(diǎn)無(wú)關(guān)。(X)(2)在基本共射放大電路中，為得到較高的輸入電阻，在固定不變的條件下，晶體管的電流放大系數(shù)應(yīng)該盡可能大些。( X)(3)在基本共射放大電路中，若晶體管的 增大一倍，則電壓放大倍數(shù)也相應(yīng)增大一倍。(V)(4)對(duì)于基極分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路來(lái)說(shuō)，其電壓放大倍數(shù)也隨的增大成正比的增大。(X )(5)共集放大電路的電壓放大倍數(shù)是小于 1 ,故不能用來(lái)實(shí)現(xiàn)功率放大。(X(6)共射放大電路既能放大電壓，也能放大電流。( 附(7)共集放大電路可放大電壓，但不能放大電流。( X)(8)共基放大電路只能放大電流，但不能放大

27、電壓。( X)四分析題1、試指出下圖中電路的錯(cuò)誤，并畫(huà)出正確的電路(圖中晶體管類(lèi)型不允許改變)+VccUi有三個(gè)錯(cuò)誤：(1)：電源極性錯(cuò)(2) : C1.C2極性錯(cuò)(3) : Rc位置接錯(cuò)2、分析下圖有何錯(cuò)誤，應(yīng)如何改正才能使電壓正常放大，畫(huà)出更改后的電路, 要求所用的晶體管不變以及其他元件不增減。模擬電子技術(shù)試題匯編有三個(gè)錯(cuò)（1） R位置接錯(cuò)（2） C2位置接錯(cuò)（3） C3位置接錯(cuò)3、分析下圖能否對(duì)1KHz的正弦電壓進(jìn)行線(xiàn)性放大，如不能指出錯(cuò)在哪里，并進(jìn) 行改正，要求不增減元件，且電壓放大倍數(shù)絕對(duì)值要大于1, Uo無(wú)直流成分。答：不能正常放大。錯(cuò)誤有：（1）Ci位置接錯(cuò)。（2） C2位置接錯(cuò)

28、。（3）Ci、C2極性接反。（4）若要Au 1 ,則不能從射極輸出。ARcRlAu =; 1 ,且Vo無(wú)直流成分。be 1Re4、有兩個(gè)放大電路如下圖所示，向各是什么組態(tài)？（共射，共基，共集）若晶 體管都工作在放大區(qū)，輸入端均加上正弦小信號(hào)電壓，請(qǐng)問(wèn)圖中所示的輸出波形 是否正確？若有錯(cuò)誤，應(yīng)如何改正？設(shè)電容都很大。(a)均為共基組態(tài)?！安ㄐ斡绣e(cuò)。(a)圖U0波形應(yīng)與5波形相同(b)圖UO波形應(yīng)無(wú)直流分量五、計(jì)算題1、在下圖的放大電路中，設(shè)三極管的=30, Ubeq=0.7V,通二1k , Rbi=10k ,Rb2 50K , Re=1.3k ,Rc=R=5k ,Vcc=12V。+VccUiRb

29、2RcC2C1Rb1R .L UoRe（1）試估算靜態(tài)時(shí)的Ibq、Icq、Uceq ； （ 5分）（2）設(shè)電容Ci、C2和Ce均足夠大，試估算放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)Aum；（5分）（3）估算放大電路的輸入電阻R和輸出電阻R。； （5分）（4）如果去掉旁路電容Ce,寫(xiě)出此時(shí)放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)Aum和輸入電阻R和輸出電阻Ro的表達(dá)式（可不計(jì)算出具體數(shù)值）。（5分）U BQ10*1210 50(1)2VVbqUbeq 2 0.7I cq I eq1 mARe 1.35.7VVceq Vcc Icq Icq(Rc Re)12 1*(5 1.3)(2)Aum(R1/Rc)rbe30(5/15

30、)175-27 -Ri%/%/%rbe1kR0Rc5kCe斷開(kāi)，Re有電流串聯(lián)負(fù)反饋,A(Rc/Rl)Aumrbe(1) ReRiRb1/%/% (1)ReR0Rc5kAum下降），Ri增加，R0不變;Rb1=5 kQ ,+Vcc(1)估算電路的靜態(tài)工作點(diǎn) ubq、icq、uceq ?(2)畫(huà)出微變等效電路，計(jì)算電壓放大倍數(shù) Au、 輸入電阻Ri、(3)若信號(hào)源內(nèi)阻為Rs=1kQ時(shí)，求Aus U"Us的數(shù)值。輸出電阻Ro(1)U BQRbi Vcc5 12RbiRb25 151 CQI EQU BQ U BEQ3 0.7Re2.31mA2、 (20分)圖示電路中，已知 Ubeq=0.

31、7V, P =100, ,=374。，Rb2=15 kQ , Re=2.3 kQ, Rc=Rl=3 kQ, Vcc=12V。Uceq 、cc LqR Re)12 1 (3 2.3)6.7 V26 (2)圖略rbe374 (1 100)-63k1Au(RC Rl)100 (3 3)rbe3R 5/15/3k1.66kRRc 3k(3)Aus Au 謹(jǐn)(5。)31.23、如下圖，C1C4足夠大,(1)畫(huà)出直流通路和微變等效電路(6分)(4分)(2)設(shè)Ubeq 0.7V ,求靜態(tài)工作點(diǎn)Icq、UceqU(3)求 R、R。、Au設(shè)=30, rbb'=19 4(6 分)Ui(4) I CEO、U

32、 ces忽略不計(jì)，估算最大不失真輸出電壓峰值Uom (4分)(總共20分)解：(1)圖略(2)U BQU CEQX VccR1R2VCC I CQ ( R32020 4V,Icq20 80R4R5)20 1 (1I EQ10U BQ U BEQR3.3) 5.7V4 0.7 1mA 3.3(3)RiR1 / R3 / rbe%erbb(12626194 (1 30)1K1R0R410K?; U0(R4/RL)Au urbe30(10/10)1150(4)不飽和失真Uom Uceq 5.7V不截止失真 UomIcq(R4Rl) 1 (10/10) 5V最大不是真輸出電壓峰值Uom 5V4、如圖所

33、示電路中，已知三極管T為硅管rbb,=337Q,UBEQ=0.7V, (3=50；Ri=51KQ , R b2=15KQ , R e=1KQ , Rc=2K Q ,RL=2KQ ,VcC=12U (共 18 分)試求：(1)靜態(tài)工作點(diǎn)Q (IbqI cqUceQ) ?(2)電壓放大倍數(shù)Au= ?輸入電阻R =?輸出電阻Ro = ?+VCc+UoU BQI CQI EQRb2U BQ15 1251 15U BEQ2.7V2.7 0.7 2mAI BQI CQU CEQ(2)RirbeR0AuRe20.04mA50Icq(Rc Re)122 (21) 6VRb1 / Rb2 / Rberbe1Kr

34、bb'RcUo Ui26(1)1 337I EQ2K(Rc/Rl)rbe5、電路如下圖（a）所示，圖（b）(1502650)7(2/2)11K50是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時(shí) Ubeq = 0.7V。利用圖解法分別求出Rl = qo和Rl= 3kQ時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓Uom0 (共 15 分)解：（1）/rtiuAib）ic0,Uce12V 解:RL，做宜流負(fù)載線(xiàn)UCE12 ic 36.根據(jù)圖示放大電路及晶體管的輸出特性曲線(xiàn)。(共帆)0,ic124mARL 圖3K靜，出t如 OM（ Icq卜CURL/）。2（3/3）=4域=50） （6 分）(2)畫(huà)出微變等效電路，估算放大

35、器的動(dòng)態(tài)參數(shù)Au、R、Ro (設(shè)rbb'=340=60）HmA（9分）80uARLUi一 +24V+Vcc4.83.62.460uA40uAUo5K1.220uA2410152025 uce/v解:(1)作直流負(fù)載線(xiàn)UCEVCCicRcic0,UceUce 0,ic12V4.8mAI bq 40uA相交 Q點(diǎn)，得 Icq 2.4mA,Uceq 12V IiUebe1KAbe(RcRlrbe26bb, (1)-I EQ50(55)11K125Ro Rc 5K7、如下圖，CiC3足夠大，(1)畫(huà)出直流通路和微變等效電路(4分)(2)求靜態(tài)工作點(diǎn)Ibq、Uceq。(4分)(3)求輸入、輸出電阻R、Ro及電壓放大倍數(shù)Au各自的表達(dá)式。(4分)(總共12分)£>+VccQRcC3R1R2UoC2O0 +C1略(2) Ibq(1 B)RcI(R1R2) VbeqVccI BQVccVbeq(1 B)Rc R1 R2,VceqVcc(1 B)IbqRc(3) Ri=R1 /rbeR0=R2/R3eAu =(R2R3Rl)rbe26 _,26mvrbe = rbb+(1+)- = rbb +I EQI BQ8.電路如