直流變換器課程設(shè)計(jì)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上目錄第一章設(shè)計(jì)概要 1.1 技術(shù)參數(shù) 1.2 設(shè)計(jì)要求 第2章 電路基本概述第3章 . 電力總體設(shè)計(jì)方案第3章 .電力總體設(shè)計(jì)方案3.1 電路的總設(shè)計(jì)思路3.2電路的設(shè)計(jì)總框圖第4章 BUCK 主電路設(shè)計(jì)4.1 Buck變換器主電路原理圖4.2 Buck變換器電路工作原理圖4.3 主電路保護(hù)（過電壓保護(hù)）4.4 Buck變換器工作模態(tài)分析4.5 主電路參數(shù)分析第5章 控制電路5.1 控制帶你擼設(shè)計(jì)方案選擇5.2 SG3525控制芯片介紹5.3 SG3525各引腳具體功能5.4 SG3525內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作特性5.5 SG3525構(gòu)成的控制電路單元電路圖第6章

2、驅(qū)動電路原理與設(shè)計(jì)6.1 驅(qū)動電路方案設(shè)計(jì)與選擇6.2 驅(qū)動電路工作分析第7章 附錄第8章 設(shè)計(jì)心得第一章設(shè)計(jì)概要1.1 技術(shù)參數(shù)： 輸入直流電壓 Vin=25V，輸出電壓 Vo=10V，輸出電流 Io=0.5A，最 大輸出紋波電壓 50mV，工作頻率 f=30kHz。 1.2 設(shè)計(jì)要求： （1） 設(shè)計(jì)主電路，建議主電路為：采用 BUCK 變換器，大電容 濾波，主功率管用 MOSFET； （2） 選擇主電路所有圖列元件，并給出清單； （3） 設(shè)計(jì) MOSFET 驅(qū)動電路及控制電路； （4） 繪制裝置總體電路原理圖，繪制： MOSFET 驅(qū)動電壓、 BUCK 電路中各元件的電壓、電流以及輸出電壓

3、波形（波形 匯總繪制，注意對應(yīng)關(guān)系）； （5） 編制設(shè)計(jì)說明書、設(shè)計(jì)小結(jié)。第二章電路基本概述 直流斬波電路（DC Chopper）的功能是將直流電變?yōu)榱硪还潭妷夯?可調(diào) 電壓的直流電，也稱為直接直流-直流變換器（DC/DC Converter）。直 流斬波電路一般是指直接將直流電變?yōu)榱硪恢绷麟姷那闆r，輸入與輸 出不之間不隔離。直流斬波電路的種類較多，包括 6 種基本斬波電路： 降壓斬波電路，升壓斬波電路，升降壓斬波電路，Cuk 斬波電路，Sepic 斬波電路和 Zeta 斬波電路。Buck 電路作為一種最基本的 DC/ DC 拓 撲，結(jié)構(gòu)比較簡單，輸出電壓小于輸入電壓，廣泛用于各種電源產(chǎn)品

4、中。根據(jù)對輸出電壓平均值進(jìn)行調(diào)制的方式不同，斬波電路可以分為 脈沖寬度調(diào)試、頻率調(diào)制和混合型三種控制方式，Buck 電路的研究 對電子產(chǎn)品的發(fā)展有著重要的意義。 MOSFET 特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動電路簡單，需要 的驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于 GTR，但 其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過 10kW 的電力電子 裝置。 功率 MOSFET 的種類：按導(dǎo)電溝道可分為 P 溝道和 N 溝道。按柵極 電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電 溝道，增強(qiáng)型；對于 N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時 才存在導(dǎo)電

5、溝道，功率 MOSFET 主要是 N 溝道增強(qiáng)型。第三章.電力總體設(shè)計(jì)方案3.1 電路的總設(shè)計(jì)思路 Buck 變換器電路可分為三個部分電路塊。分別為主電路模塊，控制電路模塊 和驅(qū)動電路模塊。 主電路模塊， 由 MOSFET 的開通與關(guān)斷的時間占空比來決定輸出電壓 u。的 大小。 控制電路模塊，可用 SG3525 來控制 MOSFET 的開通與關(guān)斷。 驅(qū)動電路模塊，用來驅(qū)動 MOSFET。 3.2 電路設(shè)計(jì)總框圖 電力電子器件在實(shí)際應(yīng)用中，一般是有控制電路，驅(qū)動電路，保護(hù)電路和以 電力電子器件為核心的主電路組成一個系統(tǒng)。有信息電子電路組成的控制電路按 照系統(tǒng)的工作要求形成控制信號，通過驅(qū)動電路去

6、控制主電路中電力電子器件的 導(dǎo)通或者關(guān)斷，來完成整個系統(tǒng)的功能。因此，一個完整的降壓斬波電路也應(yīng)該 包括主電路，控制電路，驅(qū)動電路和保護(hù)電路致謝環(huán)節(jié)。 根據(jù)降壓斬波電路設(shè)計(jì)任務(wù)要求設(shè)計(jì)主電路、控制電路、驅(qū)動及保護(hù)電路， 設(shè)計(jì)出降壓斬波電路的結(jié)構(gòu)框圖如下圖所示。 第四章 BUCK 主電路設(shè)計(jì)4.1 Buck 變換器主電路原理圖 降壓斬波電路的原理圖以及工作波形如圖 3.1 所示。該電路使用一個 全控型器件 V，圖中為 MOSFET。為在 MOSFET 關(guān)斷時給負(fù)載中電 感電流提供通道，設(shè)置了續(xù)流二極管 VD。斬波電路主要用于電子路 的供電電源，也可拖動直流電動機(jī)或帶蓄電池負(fù)載等。 4.2 Buc

7、k 變換器電路工作原理圖 直流降壓斬波電路使用一個全控型的電壓驅(qū)動器件 MOSFET，用控 制電路和驅(qū)動電路來控制 MOSFET 的導(dǎo)通或關(guān)斷。當(dāng) t=0 時 MOSFET 管被激勵導(dǎo)通，電源 U 向負(fù)載供電，負(fù)載電壓為 Uo=U,負(fù) 載電流 io 按指數(shù)曲線上升；當(dāng) t=t1 時控制 MOSFET 關(guān)斷負(fù)載電流經(jīng) 二極管 VD 續(xù)流負(fù)載電壓 Uo 近似為零，負(fù)載電流呈指數(shù)曲線下降。 為了使負(fù)載電流連續(xù)且脈動小通常使串聯(lián)的電感 L 較大。電路工作時 的波形圖如圖 4.2 所示。 4.3 主電路保護(hù)（過電壓保護(hù)） 本次設(shè)計(jì)的電路要求輸出電壓為 12V，所以當(dāng)輸出電壓設(shè)定時，一旦 出現(xiàn)過電壓，為了

8、保護(hù)電路和期間，應(yīng)立刻將電路斷開，及關(guān)斷MOSFET 的脈沖，使電路停止工作。以為芯片 SG3525 的引腳 10 端為外部關(guān)斷 信號輸入端，所以可以利用 SG3525 的這個特點(diǎn)進(jìn)行過電壓保護(hù)。當(dāng) 引腳 10 端輸入的電壓等于或超過 8V 時，芯片將立刻鎖死，輸出脈沖 將立即斷開。所以可以從輸出電壓中進(jìn)行電壓取樣，并將取樣電壓通 過比較器輸入 10 端實(shí)現(xiàn)電壓保護(hù)。，從而 過電壓保護(hù)電路圖如下所示： 4.4 Buck 變換器工作模態(tài)分析 在分析 Buck 變換器之前，做出以下假設(shè)： 開關(guān)管 V、二極管 VD 均為理想器件； 電感、電容均為理想元件； 電感電流連續(xù)； 當(dāng)電路進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作時，可以

9、認(rèn)為輸出電壓為常數(shù)。 當(dāng)輸入脈沖為高電平，即在 ton時段內(nèi)，V 導(dǎo)通，此時二極管 VD 反偏 截止，如下圖 4.3.1 所示。通過電感 L 的電流隨時間不斷增大，電源 U 向負(fù)載 R 提供功率，同時對電容 C 充電。在電感 L 上將產(chǎn)生極性為 左正右負(fù)的感應(yīng)電動勢，儲存磁場能量。 假設(shè)儲能電感 L 足夠大，其時間常數(shù)遠(yuǎn)大于開關(guān)的周期，流過儲能電 感的電流 IL可近似認(rèn)為是線性的，并設(shè)開關(guān) MOS 管 V 及續(xù)流二極管都 具有理想的開關(guān)特性，它們正向降壓都可以忽略 式中起始值 ILv是 V 導(dǎo)通前流過 L 的電流。當(dāng) t=ton時，V 導(dǎo)通 L 中的 電流達(dá)到最大值 當(dāng)輸入脈沖為低電平，即在

10、toff時段內(nèi)，V 截止，電路相當(dāng)于 V 斷開， 如下圖 4.3.2 所示。此時，由電感 L 中的電流將減小，為了阻止電流 I0的減小，在其上將產(chǎn)生極性為左負(fù)右正的感應(yīng)電動勢，這時二極管 VD 正偏導(dǎo)通，為電感電流提供通路。電感將釋放磁能，一方面繼續(xù) 給負(fù)載 R 供電，另一方面對電容 C 充電，把一部分磁能轉(zhuǎn)化為電容中 的電場能。當(dāng)電感電流下降到某一較小的數(shù)值時，電容 C 開始對負(fù)載 放電，以維持負(fù)載所需的電流。當(dāng)電路工作于穩(wěn)態(tài)時，負(fù)載電流在一 個周期內(nèi)的初值與終值為相等的(下面插入圖片4.3.2)式中起始值 ILP為 V 截止前流過的電流。t=toff時，V 截止，L 中的電 流下降到最小值

11、 當(dāng)電路工作在穩(wěn)態(tài)時，聯(lián)系上式解得：由以上分析可得，負(fù)載電壓的平均值為:上式中， ton為 V 處于導(dǎo)通狀態(tài)的時間，toff為 Q 處于斷開狀態(tài)的時間； T 為開關(guān)周期，即 T=ton +toff；D 為導(dǎo)通占空比，即 D=ton/T；V1 為電 源電壓。由該公式可知，負(fù)載電壓的平均值 V2 的大小由導(dǎo)通占空比 和電源電壓決定。在電源電壓不變的情況下，其大小可由調(diào)節(jié)占空比 來改變，且隨著占空比的增大而增大，隨著占空比的減小而減小 由于占空比 0<D<1，即 V2<V1，輸出電壓小于輸入電壓，因此將該電 路稱為降壓斬波電路。 負(fù)載電流平均值為： IO= R V2 上式中，R 為

12、負(fù)載電阻。若負(fù)載中的 L 的值較小，則在 Q 關(guān)斷后，可 能會出現(xiàn)負(fù)載電流斷續(xù)的情況。為了保證電流連續(xù)，要求串接的電感 L 值足夠大 MOSFET 在開通與截止下的電感電容波形圖： 4.4 主電路參數(shù)分析 主電路中需要確定參數(shù)的元器件有直流電源、MOSFET、二極管、電感、 電容、電阻的確定，其參數(shù)確定如下： (1) 電源 要求輸入電壓為 42V。 (2)電阻 因?yàn)楫?dāng)輸出電壓為 12V 時，輸出電流為 3A。所以由歐姆定 律 R=U0/I0,可得負(fù)載電阻值為 4 歐姆. (3) MOSFET 由圖 4.3.2 易知當(dāng) MOSFET 截止時，回路通過二極管續(xù)流， 此時 MOSFET 兩

13、端承受最大正壓為 42V；而當(dāng)=1 時，MOSFET 有最大 電流，其值為 3A。故需選擇 Vdss=100V，Id=9.2A 的 IRF520 (4) 二極管 其承受最大反壓 42V，其承受最大電流趨近于 3A，考慮 2 倍裕量，故需選擇 UN84V，IN6A 的二極管,選用 MUR820 (5)電感 根據(jù) Buck 變換器的性能指標(biāo)要求及 Buck 變換器輸入輸出 電壓之間的系求出關(guān)占空比 D= 12V/42V=0.29 (6)開關(guān)頻率 f=100KHz (7)電容 設(shè)計(jì)要求最大輸出紋波電壓 50mV. ) 輸出濾波電容的耐壓值決定于輸出電壓的最大值，一般比輸出電 壓的最大值高一

14、些，但不必高太多，以降低成本。由于最大輸出電壓 為 12V，則電容的耐壓值為 15V。第五章 控制電路 5.1 控制電路設(shè)計(jì)方案選擇 控制電路需要實(shí)現(xiàn)的功能是產(chǎn)生控制信號，用于控制斬波電路中主功 率器件的通斷，通過對占空比的調(diào)節(jié)達(dá)到控制輸出電壓大小的目的。 斬波電路有三種控制方式： 1.保持開關(guān)周期 T 不變，調(diào)節(jié)開關(guān)導(dǎo)通時間 ton，稱為脈沖寬度調(diào)制 或脈沖調(diào)寬型； 2.保持導(dǎo)通時間不變，改變開關(guān)周期 T，成為頻率 調(diào)制或調(diào)頻型； 3.導(dǎo)通時間和周期 T 都可調(diào)，是占空比改變，稱為 混合型。 因?yàn)閿夭娐酚羞@三種控制方式，又因?yàn)?PWM 控制技術(shù)應(yīng)用最為廣 泛，所以采用 PWM 控制方式來控

15、制 MOSFET 的通斷。PWM 控制就是對 脈沖寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)。這種電路把直流電壓“斬”成一系列脈沖， 改變脈沖的占空比來獲得所需的輸出電壓。改變脈沖的占空比就是對 脈沖寬度進(jìn)行調(diào)制，只是因?yàn)檩斎腚妷汉退枰妮敵鲭妷憾际侵绷?電壓，因此脈沖既是等幅的，也是等寬的，僅僅是對脈沖的占空比進(jìn) 行控制。 對于控制電路的設(shè)計(jì)其實(shí)可以有很多種方法，可以通過一些數(shù)字運(yùn)算 芯片如單片機(jī)、CPLD 等等來輸出 PWM 波，也可以通過特定的 PWM 發(fā) 生芯片來控制。因?yàn)轭}目要求輸出電壓連續(xù)可調(diào)，所以我選用一般的 PWM 發(fā)生芯片來進(jìn)行連續(xù)控制。 對于 PWM 發(fā)生芯片，我選用了 SG3525芯片，其引腳

16、圖如圖4.1所示， 它是一款專用的 PWM 控制集成電路芯片，它采用恒頻調(diào)寬控制方案， 內(nèi)部包括精密基準(zhǔn)源、鋸齒波振蕩器、誤差放大器、比較器、分頻器 和保護(hù)電路等。 5.2 SG3525控制芯片介紹（1） 工作電壓范圍：8-35v。 （2） 5.1V 微調(diào)基準(zhǔn)電源 （3） 振蕩器頻率工作范圍：100Hz-500kHz。（4） 具有振蕩器外部同步功能 （5）死區(qū)時間可調(diào)。 （6） 內(nèi)置軟啟動電路。 （7） 具有輸入欠電壓鎖定功能。 （8） 具有 PWM 鎖存功能，禁止多脈沖。 （9）逐個脈沖關(guān)斷。 （10）雙路輸出（灌電流/拉電流）：Ma(峰值) 其11和14腳輸出兩個等幅、等頻、相位互補(bǔ)、占空

17、比可調(diào)的 PWM 信號。 腳6、腳7 內(nèi)有一個雙門限比較器，內(nèi)設(shè)電容充放電電路，加上外接 的電阻電容電路共同構(gòu)成 SG3525 的振蕩器。振蕩器還設(shè)有外同步輸 入端(腳3)。腳1 及腳2 分別為芯片內(nèi)部誤差放大器的反相輸入端、 同相輸入端。該放大器是一個兩級差分放大器。根據(jù)系統(tǒng)的動態(tài)、靜 態(tài)特性要求，在誤差放大器的輸出腳9和腳1之間一般要添加適當(dāng)?shù)姆?饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，另外當(dāng)10腳的電壓為高電平時，11和14腳的電壓變?yōu)?0 輸出。 5.3 SG3525各引腳具體功能： （1） 引腳 1：誤差放大器反向輸入端。在閉環(huán)系統(tǒng)中，該引腳接反 饋信號。在開環(huán)系統(tǒng)中，該端與補(bǔ)償信號輸入端（引腳 9）相連，可

18、構(gòu)成跟隨器。 （2） 引腳 2：誤差放大器同向輸入端。在閉環(huán)系統(tǒng)和開環(huán)系統(tǒng)中， 該端接給定信號。根據(jù)需要，在該端與補(bǔ)償信號輸入端之間接入信號 不同的反饋網(wǎng)絡(luò)。 （3） 引腳 3：振蕩器外接同步信號輸入端。該端接外部同步脈沖信 號可實(shí)現(xiàn)與外電路同步。 （4）引腳 4：振蕩器輸出端。 （5） 引腳 5：振蕩器定時電容接入端。 （6） 引腳 6：振蕩器定時電阻接入端。 （7） 引腳 7：振蕩器放電端。該端與引腳 5 之間外接一只放電電阻， 形成放電回路。 （8） 引腳 8：軟啟動電容接入端。 （9） 引腳 9：PWM 信號輸入端。 （10） 引腳 10：外部關(guān)斷信號輸入端。 （11） 引腳 11：輸

19、出端 A。（12） 引腳 12：信號地。 （13） 引腳 13：輸出級偏置電壓接入端。 （14） 引腳 14：輸出端 B。 （15） 引腳 15：偏置電源接入端。 （16） 引腳 16：基準(zhǔn)電源輸出端。 5.4 SG3525 內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作特性 （1） 基準(zhǔn)電壓調(diào)整器 基準(zhǔn)電壓調(diào)整器是輸出為 5.1V，50mA，有短路電流保護(hù)的電壓調(diào) 整器。它供電給所有內(nèi)部電路，同時又可作為外部基準(zhǔn)參考電壓。若 輸入電壓低于 6V 時，可把 15、16 腳短接，這時 5V 電壓調(diào)整器不起 作用。 （2） 振蕩器 3525A 的振蕩器，除 CT、RT 端外，增加了放電 7、同步端 3。RT 阻值決定了內(nèi)部恒流值

20、對 CT 充電，CT 的放電則由 5、7 端之間外接 的電阻值 RD 決定。把充電和放電回路分開，有利于通過 RD 來調(diào)節(jié)死 區(qū)的時間，因此是重大改進(jìn)。這時 3525A 的振蕩頻率可表為： 式中:CT, RT分別是與腳5、腳6相連的振蕩器 的電容和電阻；dR 是與腳7相連的放電端電阻值。根據(jù)任務(wù)要求需要 頻率為100kHz，所以由上式可取 CT=1F,RT=10,RD=1?？傻?f=100kHz.在 3525A 中增加了同步端 3 專為外同步用，為多個 3525A 的聯(lián)用 提供了方便。同步脈沖的頻率應(yīng)比振蕩頻率 fS 要低一些。 (3) 誤差放大器 誤差放大器是差動輸入的放大器。它的增益標(biāo)稱值

21、為 80dB，其大 小由反饋或輸出負(fù)載決定，輸出負(fù)載可以是純電阻，也可以是電阻性 元件和電容的元件組合。該放大器共模輸入電壓范圍在 1.83.4V， 需要將基準(zhǔn)電壓分壓送至誤差放大器 1 腳（正電壓輸出）或 2 腳（負(fù) 電阻輸出）。 3524 的誤差放大器、電流控制器和關(guān)閉控制三個信號共用一個反 相輸入端，3525A 改為增加一個反相輸入端，誤差放大器與關(guān)閉電路 各自送至比較器的反相端。這樣避免了彼此相互影響。有利于誤差放 大器和補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)工作精度的提高。 (4) 閉鎖控制端 10 利用外部電路控制 10 腳電位，當(dāng) 10 腳有高電平時，可關(guān)閉誤差 放大器的輸出，因此，可作為軟起動和過電壓保護(hù)等

22、。 (5) 有軟起動電路 比較器的反相端即軟起動控制端 8，端 8 可外接軟起動電容。該 電容由內(nèi)部 V ref 的 50A 恒流源充電。達(dá)到 2.5V 所經(jīng)的時間為 點(diǎn)空比由小到大（50）變化。 (6) 增加 PWM 鎖存器使關(guān)閉作用更可靠 比較器（脈沖寬度調(diào)制）輸出送到 PWM 鎖存器。鎖存器由關(guān)閉電 路置位，由振蕩器輸出時間脈沖復(fù)位。這樣，當(dāng)關(guān)閉電路動作，即使 過流信號立即消失，鎖存器也可維持一個周期的關(guān)閉控制，直到下一 周期時鐘信號使倘存器復(fù)位為止。 另外，由于 PWM 鎖存器對比較器來的置位信號鎖存，將誤差放大 器上的噪音、振鈴及系統(tǒng)所有的跳動和振蕩信號消除了。只有在下一 個時鐘周期

23、才能重新置位，有利于可靠性提高。 (7) 增設(shè)欠壓鎖定電路 電路主要作用是當(dāng) IC 塊輸入電壓小于 8V 時，集成塊內(nèi)部電路鎖 定，停止工作（其準(zhǔn)源及必要電路除外），使之消耗電流降到很?。s 2mA）。 (8)輸出級 由兩個中功率 NPN 管構(gòu)成，每管有抗飽和電路和過流保護(hù)電路， 每組可輸出 100mA。組間是相互隔離的。電路結(jié)構(gòu)改為確保其輸出電 平或者是高電平或者是低電平的一個電平狀態(tài)中。為了能適應(yīng)驅(qū)動快 速的場效應(yīng)功率管的需要，末級采用推拉式電路，使關(guān)斷速度更快。 11 端（或 14 端）的拉電流和灌電流，達(dá) 100mA。在狀態(tài)轉(zhuǎn)換中， 由于存在開閉滯后，使流出和吸收間出現(xiàn)重迭導(dǎo)通。在重迭

24、處有一個 電流尖脈沖，其持續(xù)時間約 100ns。使用時 VC 接一個 0.1f 電容可 以濾去尖峰。 另一個不足處是吸電流時，如負(fù)載電流達(dá)到 50mA 以上時，管飽和 壓降較高（約 1V）。 5.5 SG3525 構(gòu)成的控制電路單元電路圖 第六章驅(qū)動電路原理與設(shè)計(jì)6.1 驅(qū)動電路方案設(shè)計(jì)與選擇： 該驅(qū)動部分是連接控制部分和主電路的橋梁，該部分主要完成以下 幾個功能：(1)提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷海?MOSFET 可靠的開 通和關(guān)斷；(2)提供足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時電流，使 MOSFET 能迅速 建立柵控電場而導(dǎo)通；(3)盡可能小的輸入輸出延遲時間，以提高工 作效率；(4) 足夠高的輸入輸

25、出電氣隔離性能，使信號電路與柵極驅(qū) 動電路絕緣；(5)具有靈敏的過流保護(hù)能力。針對以上幾個要求，對 驅(qū)動電路進(jìn)行以下設(shè)計(jì)。針對驅(qū)動電路的隔離方式： (1) 采用磁耦隔離，最常用的是用時變壓器隔離，即通過一次側(cè)和二 次側(cè)的磁耦聯(lián)系將電路隔開，從而取到電氣隔離的作用。這種方法的 優(yōu)點(diǎn)是簡單，不需要外接電源對器件進(jìn)行驅(qū)動，且傳遞的效率很高。 10 1 1uf 但同時缺點(diǎn)也很明顯，首先磁耦隔離只能用于交流電路，直流電路無 效，其次變壓器的體積較大，不利于集成。 (2)采用光電耦合式驅(qū)動電路，該電路雙側(cè)都有源。其提供的脈沖寬 度不受限制，較易檢測 MOSFET 的電壓和電流的狀態(tài)，對外送出過流 信號。另

26、外它使用比較方便，穩(wěn)定性比較好。但是它需要較多的工作 電源，其對脈沖信號有1s 的時間滯后，不適應(yīng)于某些要求比較高 的場合。 由于這次設(shè)計(jì)的電路是直流電路，且要求不是很高，所以選擇光耦隔 離。 6.2 驅(qū)動電路工作分析： 驅(qū)動電路的電路圖如圖6.2所示： 如圖6.2所示，MOSFET 降壓斬波電路的驅(qū)動電路提供電氣隔離環(huán) 節(jié)。 光耦合器由發(fā)光二極管和光敏晶體管組成，封裝在一個外殼內(nèi)。 本電路中采用的隔離方法是，先加一級光耦隔離，再加一級推挽電路 進(jìn)行放大。采用推挽電路進(jìn)行放大的原因是因?yàn)轵?qū)動 MOSFET 的電壓 約為10V 左右，而 SG3525芯片提供的電壓只有5V 左右，直接連入無 法驅(qū)動 MOSFET。并且推挽式電路簡單實(shí)用，故用推挽式進(jìn)行電壓放 大。 第七章 附錄 元器件清單器件名稱規(guī)格與型號數(shù)量直流電源42V1電阻1/4/10/20/1k/2k/10k()1/1/2/1/3/1/1電容1/15/10（uf）1/1/1MOSFE