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1、如何選擇線性穩(wěn)壓電路的 MOSFET.、八、-刖言選擇線性穩(wěn)壓電路的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET ,(Metal-Oxide-Semico nductor Field-Effect Tran sistor)有許多的重要考慮，本文將簡介使用MOSFET之線性穩(wěn)壓電路、計算線性穩(wěn)壓電路中 MOSFET的消耗功率，并從 MOSFET規(guī)格表中找出最小所需之閘極-源極電壓，以及計算MOSFET最大所需導通電阻 值與MOSFET內部半導體接面溫度，并有設計實例做為參考。使用MOSFET之線性穩(wěn)壓電路簡介sourcedrainInfinccffiIPD13N03LA3 恥“心1尺hJA7550若

2、設定Tc為70 C而且Pdis為3 watt ，于圖4中可得知 Rth(jc)為3.2 K/W 。Tj=Tc+(R th(JC) *P dis )=70+(3.2*3)=79.6 oC結論基于以上說明，我們可以得知 MOSFET的最大額定汲極電流(ID)必須大于輸出額定電流， 脈波信號控制芯片的輸出至閘極之電壓準位必須大于最小所需閘極-源極電壓，MOSFET的表面溫度與內部接面溫度是相關聯(lián)的。若降低接面溫度則同樣條件下，其內部接面溫度 亦會下降。降低表面溫度的方法有二種。第一為于PCB板上預留較多空間于 MOSFET周 圍，使其較易散。另一方法為降低輸出端與輸入端之電壓差，以降低功率損耗，進而

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