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1、模擬集成電路設(shè)計(jì)原理期末考試A卷 課程性質(zhì):必修 使用范圍: 考試時間: 考試方式: 學(xué)號專業(yè)班級學(xué)生姓名 成績題號一二三四五總分得分一填空題(每空1分,共14分)1、與其它類型的晶體管相比,MOS器件的尺寸很容易按_縮小,CMOS電路被證明具有_的制造成本。2、 放大應(yīng)用時,通常使MOS管工作在_區(qū),電流受柵源過驅(qū)動電壓控制,我們定義_跨導(dǎo)_來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。3、為溝長調(diào)制效應(yīng)系數(shù),對于較長的溝道,值_(較大、較?。?。4、源跟隨器主要應(yīng)用是起到_的作用。5、共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個重要特性就是_很高,因此可以做成_。6、由于_或_等因素,共模輸入電平的變化會引起差動輸出的改變。7、理
2、想情況下,_結(jié)構(gòu)可以精確地復(fù)制電流而不受工藝和溫度的影響,實(shí)際應(yīng)用中,為了抑制溝長調(diào)制效應(yīng)帶來的誤差,可以進(jìn)一步將其改進(jìn)為_結(jié)構(gòu)。8、為方便求解,在一定條件下可用_法估算系統(tǒng)的極點(diǎn)頻率。9、與差動對結(jié)合使用的有源電流鏡結(jié)構(gòu)如下圖所示,電路的輸入電容Cin為_。10、為溝長調(diào)制效應(yīng)系數(shù),值與溝道長度成_(正比、反比)。二名詞解釋(每題3分,共24分)1、阱2、亞閾值導(dǎo)電效應(yīng)3、溝道長度調(diào)制4、等效跨導(dǎo)Gm5、米勒定理6、N阱7、有源電流鏡8、輸出擺幅三畫圖題(每題8分,共16分)1、以VDS作為參數(shù)畫出NMOS晶體管的IDVGS曲線。要求:(1)畫三條曲線,VDS的值分別為VDS1、VDS2、V
3、DS3,其中VDS1<VDS2<VDS3;有適當(dāng)?shù)姆治鐾茖?dǎo)過程,并標(biāo)出曲線中關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)的坐標(biāo)。(2)畫兩條曲線,VDS的值分別為VBS=0、VBS<0;標(biāo)出曲線中關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)的坐標(biāo)。 2、畫出差動對的輸入輸出特性曲線(IDVin)。要求:(1)標(biāo)出曲線中關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)和極限點(diǎn)的坐標(biāo);(2)由圖分析:通過什么措施可以使差動對的線性度更好。四簡答(每題7分,共21分)1、“MOS器件即使沒有傳輸電流也可能導(dǎo)通”,這種說法正確么?為什么?2、什么是體效應(yīng)?體效應(yīng)會對電路產(chǎn)生什么影響?3、帶有源極負(fù)反饋的共源極放大電路相對于基本共源極電路有什么優(yōu)點(diǎn)?五分析計(jì)算題(共34分)(下列題目中使用
4、教材表2.1所列的器件數(shù)據(jù),所有器件尺寸都是有效值,單位均為微米。)1、(7分)假設(shè)=0,計(jì)算圖示電路的小信號增益(表達(dá)式)。 2、(9分)差動電路如圖所示,ISS=1mA,VDD=3V,(W/L)1、2=(W/L)3、4=50/0.5。(1)假設(shè)=0,求差動電壓增益;(2)=0.45 V-1時,如果ISS上的壓降至少為0.4V,求最小的允許輸入共模電平。 3、(9分)(W/L)N=10/0.5,(W/L)P=10/0.5,IREF=100A,VDD=3V,加到M1、M2柵極的輸入共模電平等于1.5V。(1)分別計(jì)算流過晶體管M3、 M4 、M5、 M6 、M7的電流;(2)假設(shè)=0,分別計(jì)算
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